[2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 硅太阳能电池的电子导通、空穴阻挡接触层

摘要： 本文提出了一种简明的数学表达式，用于建模统计掺杂涨落对结型场效应晶体管（JFET）阈值电压（Vth）的影响。通过分析有源器件区内的随机离散掺杂（RDD），推导出计算任意沟道掺杂分布下Vth分布标准差σVth,RDD的解析模型。该模型表明JFET的Vth波动取决于有源器件区尺寸、沟道掺杂浓度以及栅极/沟道PN结的沟道耗尽区深度。研究将该模型应用于对称与非对称源漏双栅n沟道JFET的σVth,RDD计算，仿真结果显示该模型能有效预测JFET的Vth波动特性。