研究目的
建立一个分析模型来研究统计掺杂波动对结型场效应晶体管（JFET）阈值电压Vth的影响。
研究成果
所提出的分析模型可用于CJFET VLSI电路的统计建模，以实现考虑变异性的电路设计，同时优化器件性能以降低CJFET VLSI电路中工艺变异性的风险。
研究不足
该研究聚焦于统计掺杂波动对结型场效应晶体管（JFET）阈值电压的影响，未考虑其他变异来源。
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[2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 硅太阳能电池的电子导通、空穴阻挡接触层
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[2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 硅太阳能电池的电子导通、空穴阻挡接触层
DOI：10.1109/PVSC40753.2019.8980855
出版年份：2019
更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要：
本文提出了一种简明的数学表达式，用于建模统计掺杂涨落对结型场效应晶体管（JFET）阈值电压（Vth）的影响。通过分析有源器件区内的随机离散掺杂（RDD），推导出计算任意沟道掺杂分布下Vth分布标准差σVth,RDD的解析模型。该模型表明JFET的Vth波动取决于有源器件区尺寸、沟道掺杂浓度以及栅极/沟道PN结的沟道耗尽区深度。研究将该模型应用于对称与非对称源漏双栅n沟道JFET的σVth,RDD计算，仿真结果显示该模型能有效预测JFET的Vth波动特性。
作者：
SAMAR K. SAHA
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