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oe1(光电查) - 科学论文

3 条数据
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  • [IEEE 2019年第八届可再生能源研究与应用国际会议（ICRERA） - 罗马尼亚布拉索夫（2019.11.3-2019.11.6）] 2019年第八届可再生能源研究与应用国际会议（ICRERA） - 移动阴影下汽车光伏系统的稳定运行

    摘要： 本文提出了一种简明的数学表达式，用于模拟统计掺杂涨落对结型场效应晶体管（JFET）阈值电压（Vth）的影响。通过研究有源器件区内的随机离散掺杂（RDD），推导出可计算任意沟道掺杂分布下Vth分布标准差σVth,RDD的解析模型。该模型表明JFET的Vth波动性取决于有源器件面积、沟道掺杂浓度以及栅极/沟道PN结的沟道耗尽区深度。应用该模型计算了对称与非对称源漏双栅n沟道JFET的σVth,RDD，仿真结果显示该模型能有效预测JFET的Vth波动性。

    关键词： 统计掺杂波动、随机离散掺杂、JFET中的工艺可变性、阈值电压可变性建模、JFET阈值电压可变性、结型场效应晶体管（JFET）

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 硅太阳能电池的电子导通、空穴阻挡接触层

    摘要： 本文提出了一种简明的数学表达式，用于建模统计掺杂涨落对结型场效应晶体管（JFET）阈值电压（Vth）的影响。通过分析有源器件区内的随机离散掺杂（RDD），推导出计算任意沟道掺杂分布下Vth分布标准差σVth,RDD的解析模型。该模型表明JFET的Vth波动取决于有源器件区尺寸、沟道掺杂浓度以及栅极/沟道PN结的沟道耗尽区深度。研究将该模型应用于对称与非对称源漏双栅n沟道JFET的σVth,RDD计算，仿真结果显示该模型能有效预测JFET的Vth波动特性。

    关键词： 建模阈值电压变化、随机离散掺杂、结型场效应晶体管(JFET)中的工艺变化、统计掺杂涨落、JFET阈值电压变化、结型场效应晶体管(JFET)

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 基于宽禁带材料的半导体功率器件研究进展概述

    摘要： 宽禁带材料因其优异的物理特性（如更高的热导率和卓越的电学性能）引起了科学家和工程师的广泛关注。目前，基于宽禁带材料的半导体功率器件研究已取得重大进展。新开发的WBG（宽禁带）功率器件——例如1200V直驱碳化硅JFET功率开关和高可靠性的氮化镓MOS HFET——相比传统硅基功率器件展现出更优的性能与优势。这些功率器件通过成功商业化已广泛应用于多个领域，其可靠性与有效性得到了充分验证。WBG功率器件的应用显著提升了电路性能，推动了新一代电子产品的演进。本文重点介绍几种基于宽禁带材料（包括氮化镓、IGBT、JFET、MOSFET、整流器及其碳化硅对应器件）的功率器件最新研究进展与成果，分别探讨并比较它们的特性、性能及相应应用场景，随后阐述这些器件存在的缺陷与局限及相应的解决方案，最后分析宽禁带功率器件未来的发展趋势与前景。

    关键词： 整流器、氮化镓（GaN）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、宽禁带材料、碳化硅（SiC）、结型场效应晶体管（JFET）、半导体功率器件

    更新于2025-09-11 14:15:04