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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 通过热注入壳层生长技术，胶体量子阱发光二极管实现了19.2%的创纪录高外量子效率

    摘要： 胶体量子阱（CQWs）因其具有高消光系数和超窄发射带宽的独特激子特性，被视为极具前景的光电材料。尽管CQWs在发光二极管（LED）领域的研究成果显著，但CQW-LED的性能仍远落后于其他软材料LED（如有机LED、胶体量子点LED和钙钛矿LED）。本文报道了接近理论极限的高效CQW-LED。其高性能的关键在于采用热注入壳层（HIS）法生长CQWs，该方法可实现近100%的光致发光量子产率（PLQY），减少非辐射通道，确保薄膜平整，并增强稳定性。值得注意的是，经过严格清洗后，溶液中的PLQY仍保持95%，薄膜中为87%。通过系统研究其形貌、组分及器件工程，采用CdSe/Cd0.25Zn0.75S核/HIS壳CQWs的CQW-LED实现了19.2%的最大外量子效率。此外，还获得了23,490 cd m?2的高亮度、国际照明委员会（CIE）坐标为(0.715, 0.283)的极高饱和红色以及稳定的发光性能。研究表明，HIS法生长的CQWs能实现高性能的溶液加工LED，这可能为未来基于CQW的显示和照明技术铺平道路。

    关键词： 核壳结构、胶体量子阱、纳米片、热注入法、发光二极管

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 胶体II-VI族纳米片中的巨大模增益系数

    摘要： 模增益系数是衡量激光材料性能的关键指标。此前，II-VI族和III-V族半导体增益介质虽能实现超过数千cm?1的净模增益系数，但需在低温环境下运行。本工作通过泵浦能量密度依赖的可变条长测量法证明：胶体CdSe纳米片在室温下即可产生巨大模增益系数，在脉冲光激发条件下可达6,600 cm?1。进一步研究表明，通过检测不同垂直厚度与横向尺寸的样品发现，优异的增益性能是CdSe纳米片家族的共性特征。总体而言，具有卓越光学增益特性的胶体II-VI族纳米片在高速光放大、等离激元光子电路损耗补偿等广泛领域具有重要应用前景。

    关键词： 胶体纳米片、光学增益、可变条长法、硒化镉、模增益系数、胶体量子阱

    更新于2025-09-04 15:30:14