通过电化学蚀刻实现的薄膜倒装焊UVB LED

摘要： 我们展示了一种在311纳米紫外B波段（UVB）发光的薄膜倒装芯片（TFFC）发光二极管（LED），该器件通过电化学蚀刻牺牲层Al0.37Ga0.63N实现了衬底移除。TFFC LED的电致发光光谱与原生长LED结构高度吻合，未显示电化学蚀刻对结构和光学特性造成任何退化迹象。这一成果得益于针对LED结构及电化学蚀刻条件，对牺牲层和蚀刻终止层进行了恰当的外延设计。实现TFFC紫外LED是提升光提取效率的关键一步，而光提取效率正是限制氮化铝镓基LED功率转换效率的重要因素。