研究目的
展示一种薄膜倒装芯片UVB LED，通过电化学蚀刻牺牲层AlGaN实现衬底移除，以提高光提取效率。
研究成果
该研究成功展示了一种通过电化学蚀刻实现衬底去除的薄膜倒装焊UVB LED，其结构与光学性能均未出现退化。该工艺适用于深紫外LED及其他能从高质量III族氮化物器件层中获益的器件。
研究不足
LED的高串联电阻归因于非优化退火温度以及低掺杂N极AlGaN上n接触所导致的高接触电阻。替代的工艺流程可以解决这个问题。
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通过电化学蚀刻实现的薄膜倒装焊UVB LED
DOI：10.1063/1.5143297
期刊：Applied Physics Letters
出版年份：2020
更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要：
我们展示了一种在311纳米紫外B波段（UVB）发光的薄膜倒装芯片（TFFC）发光二极管（LED），该器件通过电化学蚀刻牺牲层Al0.37Ga0.63N实现了衬底移除。TFFC LED的电致发光光谱与原生长LED结构高度吻合，未显示电化学蚀刻对结构和光学特性造成任何退化迹象。这一成果得益于针对LED结构及电化学蚀刻条件，对牺牲层和蚀刻终止层进行了恰当的外延设计。实现TFFC紫外LED是提升光提取效率的关键一步，而光提取效率正是限制氮化铝镓基LED功率转换效率的重要因素。
作者：
Michael A. Bergmann，Johannes Enslin，Filip Hjort，Tim Wernicke，Michael Kneissl，?sa Haglund
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