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oe1(光电查) - 科学论文

32 条数据
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  • 表面改性与分散添加剂对BiFeO3/聚甲基丙烯酸甲酯复合薄膜介电及电学性能的影响

    摘要： 表面改性对提高介电常数和降低介电损耗具有重要作用。本研究通过溶液浇铸法制备了填充2-氨基乙磺酸改性铁酸铋（BiFeO3；BFO）的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）复合材料。该复合材料的表面形貌使颗粒在聚合物基体中分散更均匀，并增强了改性BFO与PMMA基体间的界面相容性。实验结果表明：在100Hz频率下，该复合材料具有高介电常数（≈147）、交流电导率（1×10??）及较低损耗（<1）。当BFO颗粒含量低于30wt%时，复合材料中可清晰观察到渗流现象。此外，复合材料在改性BFO颗粒表面形成钝化层，这可能改善材料形貌并促进空间电荷、界面效应及介电性能的提升。本研究为储能应用提供了一种制备高性能介电复合材料的简便高效方法。

    关键词： 介电性能、表面处理、形貌、聚甲基丙烯酸甲酯

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 用于太阳能蒸汽生成的高效光热转换器——黑色硅藻胶体

    摘要： 近年来，利用转换器实现太阳能产蒸汽作为太阳能能量转换的替代形式，受到了显著的研究关注。合理设计的光热转换器对提高蒸汽生成效率至关重要。在此，我们提出一种基于硅藻壳骨架的新型胶体型光热转换器——这是一种天然设计的、含有通孔结构的胶体。通过聚吡咯的蒸气沉积聚合、弱碱处理以及后续的聚苯乙烯蒸气沉积聚合等工艺，在不破坏孔隙结构的前提下，赋予其宽带吸收、磁性和水面漂浮特性。所制备的胶体光热转换器在阳光照射下展现出卓越的蒸汽生成效率。

    关键词： 太阳能蒸汽生成、表面处理、硅藻、化学气相沉积、宽带吸收

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • [2018年IEEE国际未来电子器件会议（IMFEDK）- 日本京都（2018年6月21日-2018年6月22日）] 2018年IEEE关西国际未来电子器件会议（IMFEDK）- 直接键合SiC/Si结特性与键合温度的关系

    摘要： 我们测量了直接键合的n-4H-SiC/p+-Si结的电学特性和芯片剪切强度，重点研究其与键合过程中退火条件的关系。在键合工艺中，我们首先进行低温退火，随后进行高温退火。通过提高第一步退火温度，C-V测试获得的杂质浓度更接近SiC本征杂质浓度，且键合强度更大。这些结果表明：直接键合SiC/Si结的特性取决于键合工艺中第一步（低温）退火温度。

    关键词： 直接键合、表面处理、硅、碳化硅、退火

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [IEEE 2018年第28届真空放电与电气绝缘国际研讨会(ISDEIV) - 格赖夫斯瓦尔德(2018.9.23-2018.9.28)] 2018年第28届真空放电与电气绝缘国际研讨会(ISDEIV) - 通过表面处理改善陶瓷真空界面的沿面闪络特性

    摘要： 本文报道了表面Cr2O3涂层处理对长脉冲电压下陶瓷真空界面性能的影响。通过SEM、LSCM和XRD方法测量了处理后陶瓷的表面特性。与原始未处理的陶瓷相比，处理后的陶瓷表面更光滑，二次电子发射系数更低，表面电阻率更低。因此获得了更高的表面闪络电压。这种表面处理是改善长脉冲高压下陶瓷真空界面闪络特性的简便有效方法。

    关键词： 表面处理、陶瓷真空界面、表面闪络、二次电子发射、Cr2O3涂层

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 单颗CsPbBr?钙钛矿纳米晶体的光致发光闪烁与间歇现象：揭示明确的载流子复合动力学

    摘要： 为深入理解CsPbBr3纳米晶中载流子复合的动力学机制，我们采用时间标记-时间分辨方法研究了该材料单颗粒水平的光致发光（PL）行为。研究发现纳米晶存在两种显著不同的PL涨落现象，分别对应闪烁和间歇发光。闪烁现象源于纳米晶表面过量陷阱态，经后合成表面处理后，这些闪烁单颗粒转变为间歇发光颗粒，其PL强度与稳定性均显著提升。通过对PL时间轨迹进行强度关联寿命分析，揭示了单纳米晶中同时存在陷阱介导的非辐射带边载流子复合与正三重态复合过程。动力学与统计分析表明，陷阱态的扩散特性是导致系统PL间歇性的根源。这些发现阐明了陷阱态的本质，揭示了其在PL涨落中的表现形式，并为调控CsPbBr3纳米晶动力学提供了有效途径。

    关键词： CsPbBr3，表面处理，载流子复合，光致发光，纳米晶体

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 感应耦合氩等离子体刻蚀对(111)面CdZnTe探测器性能的影响

    摘要： 研究了采用电感耦合氩等离子体刻蚀（ICP-Ar）替代传统溴-甲醇（Br-MeOH）刻蚀对CdZnTe探测器性能的影响。通过实验确定了最佳ICP刻蚀参数。XPS结果表明，经ICP-Ar刻蚀的CdZnTe表面成分无明显TeOx峰，且比Br-MeOH刻蚀样品更接近化学计量比。ICP-Ar刻蚀的CdZnTe表面漏电流显著降低，其能量分辨率检测性能较Br-MeOH刻蚀样品提升12%。此外，ICP-Ar刻蚀摒弃了Br-MeOH产生腐蚀性气体的缺陷，具有更高的安全性与环保性。因此，电感耦合氩等离子体刻蚀有望取代溴-甲醇刻蚀，成为CdZnTe表面处理的有效方法。

    关键词： 表面处理，碲锌镉，电感耦合等离子体

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 研究液体中激光烧蚀参数的影响以降低激光冲击强化过程中的脉冲能量

    摘要： 研究了激光冲击强化技术与激光处理过程中及处理后发生的物理过程之间的关系。探讨了激光参数对工艺效果的影响。研究表明，在保持强度不变的情况下减小激光光斑直径会导致LSP效果降低。该现象通过标准LSP工艺模型，从不同处理区域尺寸下塑性变形特征的角度进行了研究。此外还分析了液体环境中激光烧蚀时等离子体羽流发展的特征，结果显示液体决定了羽流演化及其引发冲击波的几何形态。所用工艺参数及获得的结果对开发低能LSP技术具有重要意义。

    关键词： 表面处理、激光冲击强化、激光产生的等离子体、液体中的激光烧蚀、镍合金、激光脉冲、激光器

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 长期机械循环与激光表面处理对SEBS-CNTs复合材料压阻性能的影响

    摘要： 研究了SEBS-CNTs纳米复合材料的压阻行为，以评估其作为应变传感器的潜在应用。通过注塑成型加工了CNTs含量为3%wt.至7%wt.的复合材料，以测定渗流阈值。随后研究了渗流阈值以上CNTs含量的纳米复合材料在弯曲应变下的压阻响应。对表现最优性能的纳米复合材料进行了循环条件测试。然后通过激光处理在纳米复合材料表面（CNTs含量为3%和4%）制备导电轨迹。经过优化的激光轨迹样品接受了1000次拉伸/释放循环测试，显示出改善的压阻性能。

    关键词： 压阻行为，聚合物基复合材料（PMCs），表面处理，电学性能

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 一种检测三重态激子从单重态裂变材料向硅太阳能电池转移的方法：比较不同表面处理效果

    摘要： 单重态裂变是突破太阳能电池单结效率极限的最有前景途径之一。增强单重态裂变的硅基太阳能电池是最理想的实现方案，但将单重态裂变产物——三重态激子转移至硅基太阳能电池已被证明极具挑战性。本研究报道了一种全光学测量技术，用于检测半导体界面处的三重态激子猝灭现象（这是实现三重态激子或电荷转移的必要条件）。该方法通过在硅表面生长独立的单晶单重态裂变材料岛来实现，这些岛具有不同高度，我们将其高度与三重态激子猝灭效率相关联。通过空间分辨延迟荧光测量猝灭效率，并与扩散-猝灭模型进行对比。利用覆盖阻挡热氧化层和芳香族单分子层的硅基底，我们证明该技术能快速筛选不同硅表面处理工艺对三重态激子的猝灭效果。

    关键词： 单重态裂变、延迟荧光、表面处理、三重态激子转移、硅太阳能电池

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • III族氮化物欧姆接触的电物理与物理化学特性

    摘要： 分析了基于氮化镓（GaN）和（铟、铝、镓）氮化物（(In, Al, Ga)N）固溶体单层与多层金属化欧姆接触的实验数据。研究了未掺杂GaN上Ti/Al/Mo/Au和Ti/Al/Mo/W/Au金属化层的接触电阻，探讨了金属化前GaN表面处理方式及金属化退火工艺对接触电阻的影响规律。

    关键词： 氮化镓，表面处理，(AlInGa)N固溶体，欧姆接触，金属化，电荷中性能级

    更新于2025-09-24 00:15:11