研究目的
研究感应耦合氩等离子体刻蚀（ICP-Ar）与传统溴-甲醇刻蚀相比对CdZnTe探测器性能的影响。
研究成果
ICP-Ar刻蚀是CdZnTe表面处理中比Br-MeOH湿法刻蚀更安全、更环保的替代方案，能获得更接近化学计量比的优化表面成分，降低漏电流并提升探测器性能。研究确定了最佳ICP-Ar刻蚀参数，表明其有望取代传统湿法刻蚀工艺。
研究不足
该研究聚焦于(111)晶面CdZnTe晶圆，可能不直接适用于其他晶向。研究强调了ICP-Ar刻蚀的环境与安全优势，但未探究ICP-Ar处理表面的长期稳定性。
1：实验设计与方法选择：
本研究对比了CdZnTe探测器上ICP-Ar物理刻蚀与传统Br-MeOH湿法刻蚀的效果，通过实验确定了最佳ICP-Ar刻蚀参数。
2：样品选择与数据来源：
采用三片相邻的(111)面Cd0.9Zn0.1Te晶圆，每片进行不同表面处理。
3：9Zn1Te晶圆，每片进行不同表面处理。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：ICP-8101等离子体刻蚀系统、Logitech PM6抛光机、X射线光电子能谱仪(XPS, Thermo ESCALAB 250XI)、原子力显微镜(AFM, NanoManVS)、用于I-V测试的KEITHLEY 2400。
4：实验流程与操作步骤：
样品经机械抛光后，分别在变射频功率条件下进行Br-MeOH湿法刻蚀或ICP-Ar物理刻蚀，分析表面成分、粗糙度及探测器性能。
5：数据分析方法：
采用XPS分析表面成分，AFM测量表面粗糙度，I-V曲线评估电学特性，能谱测试检测探测器性能。
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获取完整内容-
X-ray photoelectron spectroscopy
Thermo ESCALAB 250XI
Thermo
Surface composition analysis of CdZnTe samples.
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KEITHLEY 2400
2400
KEITHLEY
Measurement of current-voltage (I–V) curves of CdZnTe detectors.
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ICP-8101 plasma etching system
ICP-8101
Used for inductively coupled Ar plasma etching of CdZnTe wafers.
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Logitech PM6 polisher
PM6
Logitech
Mechanical polishing of CdZnTe wafers.
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Atomic force microscopy
NanoManVS
Measurement of surface roughness of CdZnTe samples.
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