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硫钝化外延阶梯梯度GaAs<sub>1-y</sub>Sb<sub>y</sub>材料的结构与光学特性
摘要： 研究了块体和表面缺陷态对经(NH4)2S化学表面处理与未处理的阶梯梯度外延GaAs1-ySby(0≤y≤1)材料振动及光学特性的影响。通过调节关键生长参数（如Sb/Ga通量比、生长温度），采用固态源分子束外延(MBE)技术在GaAs和Si衬底上实现了锑(Sb)组分可调的外延层生长。(NH4)2S处理的GaAs1-ySby外延层的拉曼与光致发光(PL)光谱分析显示：其拉曼谱宽具有组分无关性，且表面处理后PL强度提升1.3倍，分别表明实现了低体缺陷外延生长和表面复合速度降低（对应表面缺陷位点减少）。此外，通过量化不同测量温度与激发强度（即变化激光功率）下的发光复合机制，发现存在自由电子-中性受主对或Sb缺陷相关复合路径，仅在二元GaSb的PL光谱中可检测到明显的体缺陷复合。对硫处理GaAs1-ySby/Al2O3异质界面的短期/长期热力学稳定性PL分析表明：未出现可量化的原子互扩散或本征氧化层形成?；诒疚淖酆侠隤L分析，可优化阶梯梯度外延GaAs1-ySby异质外延材料的品质以适用于光电器件。
关键词： 分子束外延、光学特性、结构特性、硫钝化、拉曼光谱、表面处理、光致发光光谱、砷化镓锑（GaAs1-ySby）
更新于2025-09-04 15:30:14
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采用银纳米墨水对n型氮化镓外延层上印刷银肖特基接触进行表面处理的效果：通过扫描内光电发射显微镜的二维表征
摘要： 我们报道了采用经HCl或有机溶剂表面处理的Ag纳米墨水，在n型GaN外延晶圆上印刷的Ag肖特基接触的基本电学特性。经HCl处理的Ag肖特基接触比有机溶剂处理的展现出更优的电流-电压特性和更大的肖特基势垒高度。扫描内光发射显微镜显示，由于HCl处理样品对Ag纳米墨水和电极具有更高的润湿性，其均匀性优于有机溶剂处理样品。这些结果表明，尽管GaN表面是在空气中印刷和退火的，使用HCl去除表面氧化层仍然有效。
关键词： 银肖特基接触，n型氮化镓，表面处理，银纳米墨水，扫描内光电发射显微镜
更新于2025-09-04 15:30:14