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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 全耗尽绝缘体上硅MOSFET中沟道随机掺杂涨落引起的阈值电压变化建模

    摘要： 在纳米级全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）MOSFET中，由随机掺杂涨落（RDF）引起的阈值电压标准差（σVth）是预测晶体管和电路性能的重要参数。本文提出了一种同时考虑沟道中掺杂"数量"与"位置"涨落的σVth解析模型，给出了"数量"涨落导致的σVth,num新模型，并探讨了获取"位置"影响系数Rp的方法。此外，详细分析了仿真方法。通过对比不同沟道长度、沟道掺杂浓度、SOI薄膜厚度、前栅氧化层厚度及埋氧层厚度下的计算结果与Sentaurus TCAD模拟数据，验证了所提模型与数值模拟结果的高度吻合性。

    关键词： 阈值电压变化、解析模型、全耗尽绝缘体上硅场效应晶体管、Sentaurus TCAD仿真、随机掺杂涨落

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [IEEE 2018年第43届国际红外、毫米波及太赫兹波会议（IRMMW-THz2018） - 日本名古屋（2018年9月9日-2018年9月14日）] 2018年第43届国际红外、毫米波及太赫兹波会议（IRMMW-THz） - 论热致表面等离子体极化激元对金属物体热辐射的贡献

    摘要： 我们展示了热致表面等离子体极化激元（TSPPs）对金属物体热辐射贡献的理论与实验评估。研究发现，这种贡献仅显著存在于此类物体平面刻面边缘处、以相对于刻面平面滑动角度观察到的区域，且为p偏振态。我们建立了分析模型，用于计算抵达其源线边缘的整套TSPPs的光谱及积分强度。与热辐射不同，TSPPs强度与温度的三次方而非四次方成正比，同时TSPP光谱相对于热辐射光谱向低频方向移动。

    关键词： 热致表面等离子体极化激元、金属物体、热辐射、p偏振、解析模型

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • [IEEE 2019年第八届国际第四组光子学会议(GFP) - 新加坡，新加坡（2019.8.28-2019.8.30）] 2019年IEEE第十六届国际第四组光子学会议(GFP) - 理解中红外波段锗硅波导损耗的侧壁依赖性

    摘要： 本文提出了一种基于场效应晶体管（FET）的功率检测器经验模型。该电学模型由基于漏极电流泰勒级数展开的沃尔泰拉分析及线性嵌入小信号电路构成，其参数完全从S参数和IV曲线中提取得出。最终推导出以FET本征电容和寄生电阻为变量的噪声等效功率（NEP）频率依赖性闭式表达式。对于沟道尺寸各异且工作频率达67GHz的共面接触石墨烯FET，该模型与实测NEP数据高度吻合。研究还从理论与实验两方面探讨了栅极长度对响应度和NEP的影响。

    关键词： 场效应晶体管（FETs）、沃尔泰拉、太赫兹探测器、微波探测器、石墨烯、功率探测器、解析模型

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [2019年IEEE第二届知识创新与发明国际会议（ICKII）- 韩国首尔（2019年7月12日-15日）] 2019年IEEE第二届知识创新与发明国际会议（ICKII）- 具有高斯掺杂分布的纳米级超薄体超薄盒SOI MOSFET的物理阈值电压模型

    摘要： 针对具有垂直高斯掺杂的纳米级超薄体超薄盒SOI MOSFETs，开展了关于虚拟阴极的深入研究?；诙此煞匠探馕鼋庥胂拍７治?，推导出物理紧致型阈值电压模型。通过Synopsys公司Sentaurus技术计算机辅助设计（TCAD）的二维数值器件仿真验证了该模型的准确性。应用新开发的模型，全面研究了阈值电压对沟道长度、硅膜厚度、埋氧层厚度及沟道掺杂浓度的敏感性，获得了良好的一致性。模型预测表明：采用非均匀掺杂分布的单个UTBB-SOI MOSFET在10纳米尺度下具有可行性。本研究兼具理论价值与实践意义，为推动基于新型UTBB-SOI器件的理论建模研究和应用提供了助力。

    关键词： UTBB-SOI MOSFET，解析模型，高斯掺杂，虚拟阴极

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 单晶半导体层厚度可控分离的剥落技术解析模型

    摘要： 从块状衬底上实现厚度可控的单晶半导体薄层分离技术，正被开发用于化合物半导体与硅基集成电路芯片的协同集成以及高性能柔性器件的制备。近期，由于工艺简单且材料限制较少，可实现单晶半导体层机械分离的可控剥离技术得到积极验证。本研究建立了一个能精确预测剥离深度的分析模型——该模型通过计算分离层累积的总应变能与晶体结合能达到热力学平衡状态时的参数来推导剥离深度。我们通过实验研究了剥离深度与应力层厚度及应力的关系，并将实验结果与所提出的分析模型进行对比验证。同时证实剥离过程中裂纹萌生角度由半导体主要晶向的结合能差异决定。

    关键词： 热力学平衡条件、解析模型、剥落技术、厚度可控层分离、裂纹起始角

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • [IEEE 2018年国际室内定位与室内导航会议(IPIN) - 南特(2018.9.24-2018.9.27)] 2018年国际室内定位与室内导航会议(IPIN) - 双向测距方法中飞行时间误差估计的解析研究

    摘要： 在缺乏时钟同步的情况下，双向测距（TWR）是测量两个无线收发器之间距离最常用的技术。现有的飞行时间（TOF）误差估计模型——IEEE 802.15.4-2011标准——专门基于时钟漂移误差。然而，当需要对不同TWR方法进行深入的对比分析时，该模型就不够用了。本文基于IEEE 802.15.4标准，提出了一种扩展的TWR方法TOF误差估计模型。利用该模型，我们对不同TWR方法之间的TOF误差估计进行了分析研究。数值模拟结果验证了该模型的有效性。此外，我们还揭示了对称双边双向测距（SDS-TWR）方法的缺陷，该方法通常用于减少由时钟漂移引起的TOF误差。

    关键词： 双向测距（TWR）、飞行时间（TOF）、到达时间（TOA）、TOF误差模型、解析模型、室内定位、基于时间的测距技术

    更新于2025-09-04 15:30:14