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GaAs衬底上NiMnAs薄膜的外延生长与磁性能
摘要: 在GaAs(001)衬底上生长了具有应变C1b对称性的单相Ni0.92Mn1.08As薄膜。同步辐射测量进一步揭示了(001)取向GaAs上优先外延的(110)取向Ni0.92Mn1.08As构型。研究发现,该薄膜的磁性能明显受生长温度影响,其最佳生长温度确定为≈370°C。根据X射线吸收光谱结果,这些现象可归因于锰原子局部电子结构的变化。本研究为理论预测的半金属NiMnAs的深入研究提供了有价值的信息。
关键词: 外延生长、半金属、赫斯勒合金、磁性能、NiMnAs
更新于2025-09-23 15:22:29
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Mn1.8Co1.2Al合金的电子结构与光学性质及自旋无能隙半导体态
摘要: 本文研究了Mn1.8Co1.2Al合金的光学性质,其成分接近自旋无带隙Mn2CoAl半导体。研究发现该合金不存在带内吸收贡献,这是其光学性质的异常行为。红外光谱范围内存在强烈的带间吸收表明该合金能谱中存在低能带隙,这一现象通过Mn1.75Co1.25Al合金的电子结构计算得到验证。
关键词: 电子结构、赫斯勒合金、光学性质
更新于2025-09-09 09:28:46