修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

17 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • 由(N<sup>t</sup>Bu)<sub>2</sub>(NMe<sub>2</sub>)<sub>2</sub>Mo和1-丙硫醇通过原子层沉积工艺制备的MoS<sub>2</sub>薄膜

    摘要： 过渡金属二硫化物（如MoS2）半导体的潜在商业应用依赖于仅在单层至少数层厚度范围内才具有的独特材料特性。因此，适用于这些材料表面可扩展、可控形成TMD薄膜的生产方法，对基于此类材料的大规模器件制造至关重要。作者开发了一种新型热原子层沉积工艺，利用双(叔丁基亚胺基)-双(二甲氨基)钼和1-丙硫醇制备含MoS2的非晶薄膜。在350°C的衬底温度下，他们观察到钼和硫前驱体均呈现自限反应行为。薄膜厚度随前驱体循环次数线性增长，每次循环生长量约为0.1纳米。初始沉积的薄膜表面光滑，但含有因钼源配体脱除不充分导致的氮和碳杂质。经高温退火后，大部分杂质被去除，作者成功获得了少数层结晶2H相MoS2薄膜。

    关键词： 原子层沉积、二硫化钼、薄膜、过渡金属硫族化合物、退火、前驱体

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 理解单层和块体MoTe?中的时空光生载流子动力学以优化光电器件

    摘要： 半导体二碲化钼作为一种具有诸多新颖特性的过渡金属硫族化合物崭露头角。其红外波段带隙特性尤其使其成为超薄高性能红外光电器件的理想候选材料。光生载流子的动力学特性对这类器件的性能起决定性作用。我们报道了单层和块体MoTe2中光生载流子时空动力学的实验研究。反射几何构型下的瞬态吸收测量揭示了光生载流子的超快热化弛豫过程，单层与块体MoTe2的载流子寿命分别约为60皮秒和80皮秒。通过对单层样品的空间分辨瞬态吸收测量，我们获得激子扩散系数为20±10 cm2/s、平均自由时间200飞秒、平均自由程20纳米及扩散长度350纳米；对应块体样品的数值分别为40±10 cm2/s、400飞秒、40纳米和570纳米。这些结果为理解和优化基于MoTe2的光电器件性能提供了基础数据。

    关键词： 二维材料、激子、瞬态吸收、二碲化钼、过渡金属硫族化合物、扩散、光生载流子动力学

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 从外延生长的范德华异质结构中选择性转移旋转匹配的MoS?

    摘要： 高质量二维（2D）半导体的大规模合成对其应用于新兴电子和光电子技术至关重要。特别是通过范德华外延在生长石墨烯（EG）上化学气相沉积（CVD）过渡金属硫族化合物（TMDs），可形成旋转匹配的TMDs，这与非晶氧化物衬底上随机排列生长的TMDs形成对比。然而，TMDs与EG之间的层间耦合阻碍了对其本征电子特性的研究和利用，因此需要将其从EG生长衬底上分离。为解决这一问题，我们报道了一种利用铜（Cu）粘附层选择性转移CVD生长MoS2-EG范德华异质结中单层二硫化钼（MoS2）的技术。选择Cu作为粘附层的动机源于密度泛函理论计算预测单层MoS2对Cu的优先结合倾向（相对于石墨烯）。原子力显微镜和光谱学证实旋转匹配的MoS2已大规模转移至SiO2/Si衬底且无裂纹、褶皱或残留物。此外，转移后的MoS2在场效应晶体管中表现出高性能：室温下载流子迁移率高达30 cm2/Vs，开关比达10?。该转移技术可推广至其他生长于EG的TMDs及相关二维材料，从而为纳米电子、光电子和光子应用提供广泛优势。

    关键词： 二硫化钼、范德华外延生长、二维半导体、场效应晶体管、铜粘附层、过渡金属硫族化合物、化学气相沉积

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 一种水热合成的MoS?(1?x)Se?x合金，具有深浅能级转换特性以提升光电探测器性能

    摘要： 基于二元过渡金属硫族化合物的光电探测器近年来受到广泛关注。然而，由于二元TMD材料的高温合成过程可能产生高密度深能级缺陷态，导致器件响应性差或响应时间长。此外，合金元素的引入会使硫空位引发的深能级缺陷态转变为浅能级缺陷态。本文采用水热法合成了MoS2(1?x)Se2x纳米结构，并以此为光敏材料制备了新型光电探测器。该MoSSe基光电探测器不仅具有高光电流，还能在405 nm至808 nm波长范围内实现宽光谱响应。同时，在1.75 mW mm?2功率的660 nm激光照射下可达到1.753 mA W?1的响应度。因此，本研究可视为一种工艺简单、成本低的新型光电探测器构建方法。

    关键词： MoS2(1?x)Se2x、光电探测器、光探测器、过渡金属硫族化合物、水热合成

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 通过化学气相沉积中材料厚度的光刻编码实现混合单层/体硒化钨晶体管

    摘要： 其类块体（三维）部分可用于金属接触及向金属二硫化物（TMD）晶体管高效注入电荷；由于二维材料中载流子数量较少，研究表明在化学气相沉积TMD薄膜前对生长衬底进行光刻预构图，能将TMD材料塑造成纳米级混合二维/三维结构——相比传统块体肖特基势垒，这种结构能显著提升性能。我们通过氧化铪区域的光刻图案化，在裸露二氧化硅区生长出单层（二维）区域作为具有优异迁移率的晶体管沟道，并形成类肖特基势垒。对于单层过渡半导体而言，金属接触的屏蔽效率低下会导致大耗尽区，这是其性能的重要限制因素。我们在接近100°C的实际工作温度下（通过300nm氧化层），观察到底部栅控TMD生长器件具有近100 cm2V?1s?1的迁移率和>10?的开/关比。类块体三维WSe?在氧化铪位置生长，而二维区域则形成相对较长的沟道（>5微米）且无需其他接触优化。该工艺通过在SiO?/Si衬底上预先光刻图案化二氧化铪（IV）薄膜，使单层混合材料在裸露二氧化硅区域生长。系统评估了器件的传输数据，由此可提取混合单层材料的肖特基势垒高度等基本特性。

    关键词： 二硒化钨，肖特基势垒，过渡金属硫族化合物，二维材料

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [2018年IEEE第13届纳米技术与器件会议(NMDC) - 美国俄勒冈州波特兰市 (2018.10.14-2018.10.17)] 2018年IEEE第13届纳米技术与器件会议(NMDC) - 硒化钴和硒化镍薄膜的磁特性表征

    摘要： 过渡金属二硫化物（TMDCs）是一类晶体结构由过渡金属原子层夹在两层硫族元素原子层之间的材料。其中部分材料能以二维六方相生长，并表现出基于层数厚度的电学与磁学性能可调性。这些材料的磁学特性是鲜少被研究的领域，因此我们探究了CoSe、NiSe及其异质结构的磁学性质。选择这些本征铁磁性过渡金属基TMCs的目的是考察从块体材料减薄至二维薄膜时如何影响样品的磁活性。为制备大面积薄膜，我们采用原子层沉积（ALD）技术生长均匀的少层薄膜。首先对这些薄膜的成分和晶体结构进行表征，随后分析其磁学特性。研究发现这两种材料的薄膜主要呈现顺磁行为。

    关键词： 硒化钴、磁性能、过渡金属硫族化合物、薄膜、硒化镍

    更新于2025-09-23 08:21:26

  • 脉冲激光沉积法制备的MoSx~2+?′/Mo与MoSx~3+?′薄膜的结构、组成及析氢电催化性能对比研究

    摘要： 通过采用轴向和非轴向脉冲激光沉积（PLD）技术，以MoS2为靶材制备MoSx薄膜，并对其析氢反应（HER）的结构、组成及效率进行了系统深入研究。在氩气缓冲环境中使用标准轴向PLD配置并优化压力参数，可形成由Mo颗粒支撑的薄层MoSx~2+δ（δ约0.7）多孔复合薄膜。当负载量增至约240 μg/cm2时，MoSx~2+δ/Mo薄膜的HER性能达到峰值。而非轴向PLD工艺中，基底位于激光羽流膨胀轴线上，通过沉积被氩分子散射的羽流原子组分形成均匀的MoSx~3+δ（δ约0.8-1.1）薄膜，其HER性能在负载量约163 μg/cm2时趋于饱和。MoSx~3+δ薄膜具有更高的析氢转化频率催化活性，但实现10 mA/cm2电流密度所需的最低过电位分别为：非轴向PLD薄膜-162 mV，轴向PLD薄膜-150 mV。电化学特性测量表明，这些薄膜HER性能差异源于其独特的形貌特征。

    关键词： 纳米催化剂、缓冲气体、脉冲激光沉积、过渡金属硫族化合物、析氢反应

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 基于永久接地栅效应的超灵敏多层MoS?光电探测器

    摘要： 二维材料，特别是MoS2半导体，因其可调带隙和低噪声特性，在光传感应用中备受关注。本文报道了一种独特的光电探测器，采用多层MoS2作为半导体沟道，其器件栅极与接地源极永久连接以引入整流效应。该接地栅光电二极管在可见光（405、532和638纳米波长）照射下展现出1.031 A W?1的高光电响应度、优异的光电探测率（>6×1010琼斯）以及高度稳定的上升/下降时间响应（100-200毫秒）。通过量子输运方法和光电导效应的数值器件模拟阐释了其工作原理。研究还指出，通过精心选择栅极金属功函数抑制暗电流，可进一步提升接地栅光电探测器的灵敏度。这种具有整流特性、低接触电阻、稳定光电响应度和线性灵敏度特性的接地栅器件，为电子和光电子领域的下一代应用提供了新平台。

    关键词： 光电探测器、二硫化钼、接地栅效应、光电二极管、过渡金属硫族化合物

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 用于增强（光）电化学析氢的纳米结构MoS3/np-Mo//WO3?y混合催化剂脉冲激光沉积法制备

    摘要： 采用适当背景气体（氩气、空气）压力下的脉冲激光烧蚀MoS2和WO3靶材，制备出用于酸性溶液制氢的新型复合纳米结构催化薄膜。该薄膜由纳米结构WO3?y底层及覆盖其上的复合MoS3/np-Mo纳米催化剂构成。使用40和80 Pa压力的干燥空气分别形成了具有花椰菜状和网状形貌的多孔WO3?y薄膜。在16 Pa氩气压力下烧蚀MoS2靶材则生成非晶态MoS3薄膜和球形Mo纳米颗粒。沉积于透明导电基底上的复合MoS3/np-Mo//WO3?y薄膜相比同负载量的单一组分（MoS3/np-Mo或WO3?y薄膜）展现出更优异的光电催化性能。动力学蒙特卡洛模拟表明：随着背景气体压力升高，沉积WO3?y薄膜形貌变化源于结构单元（原子/团簇）从弹道沉积向扩散限制聚集的转变。研究还探讨了提升复合纳米结构薄膜电催化活性及促进其高效光激活析氢作用的各项因素与机制。

    关键词： 脉冲激光沉积、氧化钨、过渡金属硫族化合物、纳米催化剂、析氢反应、背景气体

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 过渡金属二硫化物单层与硫化铅量子点形成的混合维度异质结构中电荷转移的观测

    摘要： 我们报道了一项关于由零维PbS量子点与二维过渡金属硫族化合物构成的混合维度异质结构电荷转移特性的实验研究。分别采用机械剥离法和化学气相沉积技术制备了单层MoSe2和MoS2。通过热注入法合成了直径为2.3纳米和5纳米的PbS量子点，并利用光学吸收光谱和紫外光电子能谱进行了表征。将这些量子点沉积在MoS2和MoSe2单层上形成异质结构，通过对异质结构及单一材料进行光致发光和瞬态吸收测量来揭示其光生载流子动力学特性。研究发现：MoSe2中激发的空穴能高效转移至2.3纳米和5纳米的PbS量子点，而这些量子点中的电子无法向MoSe2转移；MoS2与5纳米PbS量子点间也呈现类似电荷转移特性，但MoS2与2.3纳米量子点间未观察到电荷转移现象。这些结果为理解混合维度异质结构中电荷转移的物理机制，以及开发基于PbS量子点的混合维度材料提供了重要依据。

    关键词： 硫化铅量子点、混合维度异质结构、过渡金属硫族化合物、光生载流子动力学、电荷转移

    更新于2025-09-12 10:27:22