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oe1(光电查) - 科学论文

5 条数据
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  • 高发射量子产率Tb<sup>3+</sup>激活的有机-无机杂化材料用于紫外下转换绿色发光二极管

    摘要： 固态发光二极管（LED）正推动照明行业向高效环保的照明与显示领域发展。当前挑战在于研发具有可调发射颜色的高效低成本下转换荧光粉。绿光处于塑料光纤的低损耗传输窗口，在人体与植物生物钟调节中具有特殊作用。此外，绿光发射荧光粉可弥补半导体基LED存在的"绿光缺口"。本研究将紫外光稳定的Tb(NaI)3(H2O)2（配体为1-乙基-1,4-二氢-7-甲基-4-氧代-1,8-萘啶-3-羧酸）掺杂于三足有机-无机杂化材料中。该杂化基质将绝对发射量子产率从孤立配合物的~0.11提升至掺杂杂化材料的~0.82，创下Tb3+基杂化荧光粉最高纪录。通过用近紫外LED（365 nm）涂覆Tb3+激活的有机-无机杂化材料，制备出发射纯绿光的LED，其国际照明委员会色坐标为(0.33, 0.59)，光效达1.3 lm·W?1。

    关键词： 近紫外发光二极管、绿色发光二极管、镧系元素、固态照明、有机-无机杂化材料

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 氮化物基近紫外发光二极管在盐水蒸气环境中的偏置应力退化机制

    摘要： 通过在海盐蒸汽环境中对氮化物基近紫外（近UV）发光二极管（LED）施加正向和反向偏置应力，系统分析了其退化机制。正向偏置应力样品的表面温度高于反向偏置应力样品。正向偏置应力样品的高温加速了器件结构与海盐蒸汽的化学反应，导致更快的退化。通过对样品表面和截面的成分分析来研究失效机制。分析结果表明，氧化铟锡层的侵蚀增强了导电金属向LED晶体的扩散。所提出的方法能在短时间内有效表征近紫外LED的质量。

    关键词： 失效机制、偏置应力、可靠性、近紫外发光二极管

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 用于近紫外LED的发光银-锂沸石磷光体

    摘要： 受限在沸石中的银团簇（AgCLs）展现出卓越的发光特性，兼具高光致发光量子效率与可调谐的可见光发射特征，使其成为极具前景的照明器件用磷光体。然而迄今为止，缺乏高效的近紫外（NUV）和蓝光激发型银沸石材料阻碍了其在远程LED中的应用。本研究表明，在NUV-LED器件中采用银沸石材料可获得高效绿光发射，其外量子效率达83%，并具有300-400 nm的宽激发范围。该磷光材料通过将AgCLs限域于脱水全锂交换的Linde型A（LTA）沸石中获得。X射线衍射分析和X射线激发光学发光-X射线吸收精细结构（XEOL-XAFS）方法分别揭示：Li+离子与脱水处理对AgCLs发光特性的独特影响，源于沸石骨架结构及配体配位四面体Ag4团簇的结构变化。此外，光物理证据显示这些样品具有约210毫秒的长衰减时间（这是稳态发射的原因），很可能源自被限域在LTA沸石方钠石笼中的六锂阳离子包围的、具有电荷转移特性的四面体Ag4(O2)团簇三重态衰减过程。

    关键词： 发光、近紫外发光二极管、银团簇、量子效率、荧光粉、沸石

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 基于近紫外LED的MgO纳米颗粒对红光磷光体薄膜、红光LED及叠层白光LED效率与色温均匀性的提升

    摘要： 基于强散射效应制备了不同MgO纳米颗粒浓度的近紫外（NUV）LED用红色荧光体薄膜（PTFs），并进一步封装成红色LED及叠层白光LED。SEM和XRD显示CaAlSiN3:Eu2+（CASN）与MgO纳米颗粒在硅树脂中均匀分布且晶体结构未改变。当MgO纳米颗粒浓度为15 wt%时，荧光转换效率（PCE）达到最大值83.15%。浓度提升可改善410 nm、627 nm和660 nm光子的空间分布均匀性。荧光寿命表明该数值与浓度变化呈正相关。封装红色LED在15 wt%浓度下光通量达最大值20.337 lm。叠层白光LED显示MgO纳米颗粒浓度可将相关色温（CCT）从4322 K调节至1987 K。相同CCT条件下，红色荧光体浓度仅需1.83 wt%（用量减少56.12%），对应辐射发光效率（LER）和发光效率（LE）分别为296.03 lm W-1和73.72 lm W-1，分别提升11.42%和降低10.14%，显色指数（CRI）从90.6增至91.8，CCT均匀性从82.04%提升至89.27%（增幅8.81%）。研究表明MgO纳米颗粒在制备高品质白光LED方面具有应用潜力。

    关键词： 氧化镁纳米颗粒、荧光粉转换效率、近紫外发光二极管、光通量、相关色温均匀性、红色荧光粉薄膜

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 封装结构对近紫外LED光提取效率的影响

    摘要： 设计并制备了具有五种封装结构的近紫外高功率LED。测量了不同封装结构的光电转换效率（EECL），并利用该参数表征封装结构的光提取效率（LEE）。通过分析光在不同界面的菲涅尔损耗（FNL）和全内反射损耗（TIRL），对实验结果进行了定性解释。当采用近似球面透镜时，在芯片与透镜间填充硅胶可提升LEE。该器件的EECL可达66.84%，较裸芯片提高55.10%。平面封装时，无论是否填充硅胶，器件EECL均低于裸芯片。填充硅胶后，器件最终界面会产生新的TIRL，导致EECL进一步降至37.14%。实验表明：当LED芯片采用图形化衬底和表面微结构提升LEE时，传统芯片表面硅胶（或环氧树脂）涂层可能无法改善器件LEE；若硅胶层引入新的全内反射界面，将显著降低器件LEE。当硅胶等介质层不产生新全反射界面时，可有效降低芯片表面的FNL和TIRL，从而提升LED器件的LEE。

    关键词： 全内反射损耗、封装结构、近紫外发光二极管、菲涅尔损耗、光提取效率

    更新于2025-09-11 14:15:04