基于I线光刻制备周期性阳极的窄条670nm增益耦合分布反馈激光器

摘要： 我们展示了一种中心波长约为670纳米的窄条形单纵模增益耦合分布反馈半导体激光器。仅通过i线光刻技术，我们制造出一种新型的微尺度无再生长岛状结构增益耦合光栅（无需纳米级光栅）。该蝶形封装器件在100毫安电流下光纤输出最大功率为48.1毫瓦，斜率效率达0.79瓦/安培。该激光器可实现从670.750至670.784纳米的连续调谐，边模抑制比超过40分贝，覆盖了锂原子的吸收峰。这种易于制备的器件作为光源，在锂原子探测器等多种应用中具有重要潜力。