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基于I线光刻制备周期性阳极的窄条670nm增益耦合分布反馈激光器

DOI：10.1109/JPHOT.2019.2909887 期刊：IEEE Photonics Journal 出版年份：2019 更新时间：2025-11-28 14:23:57
摘要： 我们展示了一种中心波长约为670纳米的窄条形单纵模增益耦合分布反馈半导体激光器。仅通过i线光刻技术，我们制造出一种新型的微尺度无再生长岛状结构增益耦合光栅（无需纳米级光栅）。该蝶形封装器件在100毫安电流下光纤输出最大功率为48.1毫瓦，斜率效率达0.79瓦/安培。该激光器可实现从670.750至670.784纳米的连续调谐，边模抑制比超过40分贝，覆盖了锂原子的吸收峰。这种易于制备的器件作为光源，在锂原子探测器等多种应用中具有重要潜力。
作者： Hong Chen，Yongyi Chen，Feng Gao，Li Qin，Chao Chen，Peng Jia，Youwen Huang，Hao Wu，Yongqiang Ning，Lijun Wang
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

展示一种中心波长约670纳米的窄条形单纵模增益耦合分布反馈半导体激光器，该器件采用仅通过i线光刻技术制造的、具有岛状结构的新型微尺度无再生长增益耦合光栅（无需纳米级光栅）制备而成。

研究成果

该研究成功展示了一种中心波长约670纳米的窄条形单纵模增益耦合分布反?。―FB）半导体激光器。该激光器性能优异，最大输出功率达48.1毫瓦，斜率效率为0.79瓦/安培。该器件在锂原子检测及其他需要稳定单纵模激光的应用领域展现出潜力。

研究不足

该研究未探讨所制备激光器在连续工作状态下的长期可靠性。尽管制备工艺较先前方法更为简化，但仍需对光刻和蚀刻参数进行精确控制。

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