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oe1(光电查) - 科学论文

11 条数据
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  • 通过水热和氩气退火处理实现单斜相VO2微晶的克级合成

    摘要： 我们通过结合水热法和高温氩气退火工艺，报道了克级规模合成具有可逆相变的100%单斜相VO2(M)粉末。通过改变生长时间、合成温度及退火条件等参数，系统分析了单相VO2(M)生长及其相变特性的优化过程。研究发现，在800°C对水热法制备的VO2粉末进行氩气退火是获得具有68°C特征相变温度的克级VO2(M)相的关键。采用原位透射电镜技术研究了退火温度过程中的微观结构与相变行为，并通过详细表征建立了生长参数与VO2物相、微观结构及相变温度之间的关联。

    关键词： 金属-绝缘体转变、退火处理、单斜相VO2、原位透射电镜、微晶、可扩展合成

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 二氧化钛的氮掺杂及光阳极退火处理以提升太阳能电池性能

    摘要： 在TiO2中进行适度氮（N）掺杂，并对CdS量子点（QD）敏化光阳极进行优化空气退火处理后，相应量子点太阳能电池（QDSC）实现了高效电子转移和低复合速率。氮掺杂钝化了TiO2表面缺陷，降低了复合中心密度，促进了电子向集流体的注入。该处理还改变了TiO2的电子能带结构，使其带隙从3.17 eV降至2.91 eV。因此在N-TiO2/CdS光阳极的QDSC中，N-TiO2与CdS在光照下均发生电荷分离，相比未掺杂TiO2/CdS基QDSC产生了更高光电流。氮掺杂还增强了TiO2的氧化还原活性，使其截面更利于离子和电子传输，这对太阳能电池性能具有优势。 N-TiO2/CdS或TiO2/CdS光阳极的最佳退火温度为150°C，该条件有效抑制了反向电子运动，使N-TiO2/CdS@150°C/多硫化物凝胶/C-纤维太阳能电池的功率转换效率（PCE）较未退火对照组显著提升55%。降低的平均激发电子寿命、提高的入射光子-电流转换效率、复合电阻及光电压衰减响应时间，证实退火光阳极相比未退火光阳极具有更强的电荷分离能力。这项首次研究通过氮掺杂与退火处理这两项简单方法实现了光伏参数的显著提升，为量子点太阳能电池的商业化开辟了现实可能。

    关键词： 退火处理，复合，电荷转移，氮掺杂，太阳能电池

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 无氧气氛退火对无快门红外图像传感器用TiO<sub>2-x</sub>基薄膜热稳定性的影响

    摘要： 在本研究中，我们考察了不同暴露温度下原位沉积样品及氧气氛围退火处理的TiO2-x（TiO）和Nb掺杂TiO2-x（TNO）薄膜的热稳定性。为获得优良的热稳定性特性，对低电阻的TiO和TNO样品采用高流速氧气（5升/分钟）和较长退火时间（25分钟）进行氧气氛围退火处理。结构研究表明，退火过程促使氧原子填补材料空位缺陷，并实现从非晶相到金红石相的结构转变。与原位沉积样品相比，退火样品展现出更高的电阻率和电阻温度系数（TCR）值。此外证实，退火样品较原位沉积样品具有显著提升的热稳定性。结果表明，退火处理的TNO样品不仅表现出卓越的热稳定性，还具备更优的测辐射热性能。由此证明，该退火TNO样品适用于无快门红外图像传感器器件。

    关键词： TiO2-x薄膜、测辐射热特性、热稳定性、退火处理

    更新于2025-09-23 21:45:12

  • 退火ZnS纳米粒子对PVA聚合物纳米复合材料结构和光学性能的影响

    摘要： 通过热解法和浇铸法制备了PVA/ZnS纳米复合材料。采用X射线衍射技术和傅里叶变换红外光谱技术研究了ZnS纳米填料退火温度对复合薄膜结构性能的影响。X射线分析表明，在500℃以下退火温度变化时可获得ZnS相，超过该温度ZnS会转化为ZnO。此外，随着退火温度从300℃升至500℃，ZnS晶粒尺寸从4纳米增大至10纳米。通过紫外-可见分光光度计技术详细研究了纳米填料晶粒尺寸对消光系数、折射率、带隙、介电常数、单振子及色散能的影响。光致发光技术(PL)显示：PVA/退火ZnS纳米复合薄膜中，300℃和400℃退火的ZnS样品呈现五个子发射光谱，而含500℃退火ZnS的样品仅显示两个子发射峰。随着ZnS纳米颗粒晶粒尺寸增大，其光致发光强度增强。

    关键词： 聚乙烯醇，尺寸，结构，硫化锌，退火处理，光学

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 通过后热处理提高陶瓷荧光板发光效率以应用于高功率LED

    摘要： 目前，荧光粉转换型白光发光二极管具有低能耗、良好的环境稳定性和长寿命等优点，因此被广泛应用于汽车前照灯等高功率发光二极管（LED）领域。然而，由于微孔等内部结构特性，这类二极管要实现高发光效率仍具挑战性。本研究通过混合蓝光LED芯片与黄色荧光粉制备了玻璃封装荧光粉（PiG）板，用于制造高功率白光LED（w-LED）。同时探究了不同温度（350°C-550°C）退火处理对制备的PiG板的影响。退火处理能增强封装荧光粉粉末的陶瓷基体流动性，降低LED孔隙率，从而提升整体发光效率。结果表明：经450°C退火处理的PiG板比未退火及350°C、400°C、500°C、550°C退火处理的PiG板具有更优异的光学性能和有效色度特性，因此退火处理的PiG板更适合作为高功率LED产业的潜在应用材料。

    关键词： 汽车前照灯，PiG板，退火处理，大功率LED，发光效率

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 在铽镓石榴石晶体中制造的质子注入平面波导

    摘要： 对可见光和近红外波段铽镓石榴石（TGG）晶体波导的研究，在科学技术领域具有重要应用价值。本研究报道了采用400 keV能量、8×101?离子/平方厘米剂量的质子辐照制备的TGG平面波导。通过分别在260℃和410℃条件下进行1小时退火处理以改善波导光学性能。实验测得了热处理前后TGG波导的暗模光谱及折射率分布。值得注意的是，在410℃退火处理后的m线曲线中观测到了九个模式。理论与实验结果表明：经410℃退火制备的波导能传输更多导模，并具有更优异的光场约束能力。

    关键词： 退火处理，波导，质子辐照，TGG晶体

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 退火效应对具有垂直磁各向异性的Co/Ni基合成反铁磁体中激光诱导磁化动力学的影响

    摘要： 我们报道了关于退火处理调制对具有垂直磁各向异性（PMA）的反铁磁交换耦合[Ni/Co]4/Ru/[Co/Ni]3多层膜中激光诱导超快磁行为影响的综合研究。磁滞回线表明，单轴PMA场Hkeff随退火温度Ta升高而单调递减，但层间耦合场Hex的变化较为复杂。时间分辨磁光克尔效应（MOKE）测量显示，激光激发的退磁和进动过程显著依赖于Ta。激光脉冲作用下，MOKE信号立即呈现随H增大而不变的瞬态增减（低Ta时），但仅表现超快下降行为（高Ta时）。通过后续动态进动光谱，我们识别出光学和声学进动模式。利用推导的色散关系拟合场依赖频率曲线，确定了Hkeff和Hex，其变化趋势与静态磁测量结果高度吻合。此外发现，超快信号下降的临界场取决于Hkeff和Hex的共同作用，而光学模式进动消失的最大场与Hex呈现相同趋势。由于非均匀性增加，声学模式的磁阻尼随Ta升高而增强。本研究为理解高退火温度下合成反铁磁多层膜的磁性能提供了深刻认识，将有助于设计先进自旋电子器件。

    关键词： 时间分辨磁光克尔效应、激光诱导超快磁行为、退火处理、合成反铁磁体、垂直磁各向异性

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 无氟化铯与含氟化铯处理的铜铟镓硒太阳能电池的质子辐照及光照退火效应

    摘要： 多项研究已针对未经碱金属处理的铜铟镓硒（CIGS）太阳能电池进行质子辐照实验，但关于碱金属处理后CIGS太阳能电池的类似效应几乎未见报道?；诖?，本研究探究了无氟化铯（CsF-free）与经CsF处理的CIGS太阳能电池在光照条件下的质子辐照及退火效应。两类电池在质子辐照后均出现性能退化，外量子效率测试显示长波段响应明显下降。实验数据通过模拟拟合表明：高注量质子辐照导致的性能退化更为显著。电容-电压测试揭示质子辐照后耗尽区展宽，这是净载流子浓度降低所致。研究表明低注量质子辐照产生浅能级缺陷，而高注量质子则形成深能级缺陷。值得注意的是，室温存放可使辐照电池部分性能恢复。光照条件下的热退火处理能有效促进低注量辐照电池性能的大幅恢复，而高注量辐照电池仅呈现微弱恢复。

    关键词： 铜铟镓硒（Cu(In,Ga)Se2）太阳能电池、氟化铯、热光浸泡处理、质子辐照、退火处理

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 退火处理对光伏用PCDTBT:石墨烯杂化结构光学和电学性能的影响

    摘要： 已制备出氧化铟锡（ITO）/聚[N-9'-十七烷基-2,7-咔唑-alt-5,5-(4,7-二-2-噻吩基-2',1',3'-苯并噻二唑)]（PCDTBT）：石墨烯/铝结构。通过特定制备方法，成功将可膨胀氧化石墨烯分散于有机溶剂（N,N-二甲基甲酰胺，DMF）中获得氧化石墨烯，并将其插入PCDTBT基质中。研究了PCDTBT:石墨烯薄膜退火处理对光学和电学性能的影响。结果表明退火处理对光电特性具有显著影响：紫外-可见（UV-Vis）光谱显示光捕获能力增强且聚合物链有序堆叠度提高；光致发光结果表明150°C热处理导致约10 nm红移，与聚合物链共轭长度增加相关。计算了串联电阻（Rs）、理想因子（n）和势垒高度（/b）等电学参数，发现热退火显著降低了串联电阻Rs和势垒高度值/b。这些结果表明退火处理改善了有源层中的载流子传输现象。此外，Log(J)-Log(V)曲线表明电荷传输受空间电荷限制电流机制支配，有效载流子迁移率（leff）量级为10?? cm2/V。

    关键词： 退火处理，混合结构，PCDTBT，氧化石墨烯，体异质结，纳米复合材料

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 原子层沉积（ALD）Al2O3钝化对HfYO/Si栅堆叠界面化学、能带排列及电学特性的影响

    摘要： 本研究探讨了不同厚度的原子层沉积（ALD）Al2O3钝化层对溅射制备的HfYO栅介质与Si衬底界面化学及电学特性的影响。电学测试和X射线光电子能谱（XPS）结果表明，1纳米厚的Al2O3钝化层能优化HfYO/Si栅堆叠的界面性能。随后制备了具有HfYO/1纳米Al2O3/Si/Al栅堆叠的金属-氧化物-半导体电容器，并在95%氮气+5%氢气的形成气体中经不同温度退火。电容-电压（C-V）和电流密度-电压（J-V）特性显示：相比其他样品，250℃退火的HYO高k栅介质薄膜表现出最低的界面陷阱电荷密度（-3.3×101? cm?2）和最小的栅极漏电流（2V时为2.45×10?? A/cm2）。此外，系统研究了Al/HfYO/Al2O3/Si/Al MOS电容器漏电流随退火温度变化的传导机制。详细电学测量表明：在低中电场区以泊松-弗伦克尔发射为主导机制，高电场区则以直接隧穿为主导传导机制。

    关键词： Al2O3钝化层，电学性能，退火处理，共溅射HYO薄膜，导电机制

    更新于2025-09-10 09:29:36