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硅基上Ga2O3纳米线的生长及其紫外光电探测器应用
摘要： 我们研究了银催化剂对增强氧化镓（Ga2O3）纳米线生长的影响。通过高温（约1000°C）热氧化技术，在作为催化层的薄银膜存在条件下，成功实现了P+型硅（100）衬底上Ga2O3纳米线的生长。我们展示了这些Ga2O3纳米线的形貌、成分及电学特性表征结果，包括光电导和瞬态时间的测量数据。结果表明：高度取向、致密且细长的Ga2O3纳米线可直接生长在硅表面。具有本征n型特性的Ga2O3纳米线在硅衬底上生长时形成了pn异质结，该异质结展现出整流特性和优异的紫外光响应性能。
关键词： 电导率、纳米线、β-氧化镓、氧化、银催化剂、光电探测器
更新于2025-09-12 10:27:22
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银催化剂促进下Ga2O3薄膜与纳米线生长机制的动力学贡献
摘要： 过去几年，氧化镓（Ga2O3）作为高功率/高温器件和紫外纳米传感器半导体材料的应用研究日益受到关注。Ga2O3具有4.8电子伏特的超大带隙，使其非常适合在恶劣环境中应用。本研究探讨了银薄膜作为催化剂生长氧化镓的效果。通过在微量氧气环境下将纯镓加热至高温（约1000°C）氧化，可实现氧化镓薄膜和纳米线的生长。我们展示了β-Ga2O3薄膜和纳米线的结构、形貌及元素表征结果，并对比研究了β-Ga2O3薄膜与纳米线在紫外探测中的传感性能。该工艺可优化实现Ga2O3纳米晶薄膜和纳米线的大规模生产。通过使用银薄膜催化剂，我们能够调控生长参数以获得纳米晶薄膜或纳米线。
关键词： 氧化镓，热氧化，纳米线，薄膜，银催化剂，石英
更新于2025-09-11 14:15:04