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基于IGZO光电神经形态晶体管模拟的双功能长时程可塑性
摘要： 采用低温原子层沉积Al2O3栅介质制备了铟镓锌氧化物（IGZO）光电神经形态晶体管。该器件实现了包括长时程抑制（LTD）和长时程增强（LTP）的双功能长时程可塑性模拟：通过在栅电极施加高电脉冲序列实现LTD模拟，通过向IGZO沟道层施加光脉冲序列实现LTP模拟?；贏l2O3栅介质中的电子/空穴俘获效应及IGZO沟道层的持续光电导特性，阐述了LTD与LTP的工作机理。
关键词： 神经形态晶体管、长期可塑性、原子层沉积
更新于2025-11-25 10:30:42
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基于Bi?O?Se的三端忆阻器中真正共存且独立表达的短时与长时程可塑性
摘要： 不同时间尺度上多种突触可塑性的共存产生了复杂的认知过程。要在忆阻神经形态系统中实现相当的认知复杂性，必须具备能同时模拟短时程（STP）和长时程可塑性（LTP）的器件。然而现有忆阻器中，由于无法通过不同位点和机制进行解耦，STP和LTP只能选择性诱导。本研究首次报道了在三端忆阻器中真正实现STP与LTP共存，该器件利用独立物理现象分别表征两种可塑性形式。这是层状材料Bi2O2Se首次应用于忆阻器领域，为超薄、高速、低功耗的神经形态器件开辟了前景。通过STP与LTP的协同作用，系统可根据刺激频率或强度对瞬态突触效能进行全面调节——从抑制直至易化，从而为神经形态功能实现提供多功能器件平台。研究还开发了启发式循环神经回路模型来模拟复杂的"睡眠-觉醒周期自主调节"过程，其中STP与LTP的共存被认为是实现这种神经稳态的关键因素。这项工作为开发适用于高度动态神经形态计算的通用忆阻器平台提供了新思路。
关键词： Bi2O2Se，杂化密度泛函计算，长期可塑性，短期可塑性，三端忆阻器
更新于2025-09-23 15:21:01