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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018.7.9-2018.7.13)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 由硅纳米线独立调控的硅场发射器阵列：高击穿电压与性能提升
摘要： 我们制造了集成硅纳米线限流器的硅场发射阵列（FEAs），并研究了一种实现更高电压运行的方法，这有望提高可实现的电流密度。在这项工作中，我们重点关注纳米柱附近发生的介电击穿现象。研究表明，加深蚀刻可以提高击穿电压，但代价是场发射特性变差，这可能是由于机械支撑的丧失或表面态的增加所致。
关键词： 场发射阵列，硅，击穿电压，限流器
更新于2025-09-23 15:21:21