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钛及氮化钛薄膜沉积工艺中减少颗粒缺陷的策略
摘要： 半导体制造中产生颗粒缺陷不可避免，但必须将其降至最低以提高集成电路良率。不同半导体制造工艺（如扩散、薄膜沉积、光刻、刻蚀和清洗）会产生多种颗粒缺陷。本文探讨了ALD氮化钛、射频磁控溅射钛和物理气相沉积氮化钛等薄膜沉积工艺中的主要缺陷生成机制，并提出了多种减少薄膜沉积工艺缺陷的策略，包括定期清洗优化、负载清洗、空闲粘贴、定期粘贴优化、套件寿命优化、靶材烧结优化以及套件硬件选型。本文还讨论了硬件引发的表面缺陷及其解决方案。
关键词： 导电薄膜、集成电路制造、金属材料、无污染制造、薄膜技术
更新于2025-09-10 09:29:36
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基于ACEK富集技术的超痕量纳米粒子快速检测方法在半导体制造质量控制中的应用
摘要： 目前半导体电路的商业化制造以纳米级分辨率进行。因此，半导体加工液中微量的纳米颗粒对芯片良率具有重大影响——这在过去处理更大关键尺寸的半导体时只是次要问题。为此，半导体行业亟需一种高灵敏度、快速的纳米颗粒在线检测方法。本研究提出了一种基于交流电动力学增强电容传感技术的高灵敏度、易操作、快速液体纳米颗粒检测方法，采用商用微电极芯片实现。其检测限低至0.1万亿分之一，响应时间仅60秒。研究还探究了交流电压与频率的测试条件以获得最优参数。相比现有检测方法，该技术兼具超高灵敏度、低成本和快速响应等优势，对实现半导体工艺高效可靠的质量控制具有重要意义。
关键词： 纳米颗粒检测、交流电泳、集成电路制造、电容传感
更新于2025-09-09 09:28:46
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半导体制造中缺陷检测的CAD布局分析
摘要： 我们目睹了消费电子设备尺寸持续缩小且电池续航更长的趋势。专用集成电路技术实现了将多个电子器件集成于同一晶粒上，同时通过优化晶体管和器件面积降低了功耗?？⒋死喟氲继骞ひ占鞍氲继逯圃旃讨械募嗫胤椒ㄊ且幌钪卮筇粽?。每次主要制程完成后，晶圆都需接受检测以发现可能导致后续芯片失效的异常情况。采用紫外线或深紫外线的光学检测旨在发现晶圆上可能"可见"的物理缺陷。为监测金属化制程中的电连接故障，专门设计了电子束检测方法。本研究运用计算机辅助设计版图分析来指导光学与电子束晶圆检测的缺陷检查，旨在提高发现关键缺陷的概率并缩短检测与缺陷表征的周期时间。该方案已与同批次晶圆的现有基准检测结果进行对比验证。
关键词： 设计优化、可制造性设计、集成电路制造、图形缺陷、专用集成电路、晶圆检测
更新于2025-09-04 15:30:14