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oe1(光电查) - 科学论文

17 条数据
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  • 基于氮化铝的自组装等离子体金和银纳米复合薄膜

    摘要: 采用一步法薄膜生长技术,成功制备了含等离子体金、银纳米颗粒的氮化铝(AlN)基双相纳米复合薄膜。该类AlN基纳米复合材料在保持宽禁带半导体特性的同时,展现出可调谐的光学特性,包括禁带宽度、等离子体共振及复介电函数。根据生长气氛的不同,金属纳米颗粒会自组装成纳米枝晶、纳米盘和纳米粒子等不同形貌,从而增强面内与面外的光学各向异性。红外透射测试既显示出AlN的特征峰,也呈现出源于等离子体纳米颗粒的宽透射窗口。这种独特的AlN-金属复合薄膜平台为调控宽禁带III-V族氮化物半导体的光学响应提供了新途径,可应用于红外传感或全光集成回路领域。

    关键词: 等离子体金和银纳米内含物、红外传感、集成电路、氮化铝基混合薄膜、光学性能

    更新于2025-10-22 19:40:53

  • 基于n型和p型氧化物半导体的互补集成电路,用于平板显示器之外的应用

    摘要: 氧化物半导体因其优异的电学性能、低温制备工艺、高均匀性及易于工业化生产的特点,在大面积薄膜电子器件制造领域极具吸引力。n型氧化物半导体(如InGaZnO)已高度成熟并实现商业化应用,广泛应用于平板显示器背板驱动电路。目前,开发基于氧化物半导体的低功耗电子电路仍亟需突破CMOS技术瓶颈。本文采用磁控溅射法制备的p型氧化锡和n型InGaZnO材料,成功构建了包括反相器、与非门、或非门、异或门、D锁存器、全加器以及7/11/21/51级环形振荡器(ROs)在内的多种CMOS电路。测试表明:反相器具有轨对轨输出特性,静态功耗低至8.84 nW,噪声容限高达约40%电源电压,成品率达98%,且标准偏差可忽略的高均匀性;逻辑门电路(与非/或非/异或)、D锁存器和全加器均呈现理想的输入-输出特性;环形振荡器展现出约1 μs的微小级延迟,以及大面积薄膜电子器件必需的极高均匀性与成品率。本研究为突破平板显示应用局限,构建基于全氧化物半导体的低功耗、大面积、大规模高性能透明/柔性CMOS电路提供了重要启示。

    关键词: 互补金属氧化物半导体、氧化物半导体、薄膜晶体管(TFT)、集成电路

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 材料科学与工程参考???|| 晶圆键合

    摘要: 晶圆键合技术数十年来一直是微机械传感器、执行器、微系统及其封装发展中的一项重要且关键的技术。该技术也应用于集成电路(IC)的制造以及先进电路技术所需的复合材料和晶圆的形成。晶圆(或芯片)键合是指将两个或多个相同或不同材料的晶圆通常永久性地连接或键合在一起的过程。这些单个晶圆可能已经历了之前的制造步骤以在其上形成各种特征,或者可能只是普通晶圆。

    关键词: 晶圆键合、微系统、集成电路、封装、微机电系统

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • [2018年IEEE国际集成电路物理与失效分析研讨会(IPFA) - 新加坡(2018.7.16-2018.7.19)] 2018年IEEE国际集成电路物理与失效分析研讨会(IPFA) - 空间电子器件失效分析:最佳实践、挑战与趋势

    摘要: 失效分析(FA)涉及所有工业领域。但需要强调航天相关活动中存在的共性与差异——即便流程相同,航天领域仍具有诸多特殊性:卫星需满足极高的质量与可靠性要求、研制成本高昂、任务周期漫长,且在轨卫星不可维修。失效分析通过质量评估发挥关键作用,以弥补极低产量航天器市场缺乏统计分析手段的缺陷。通常我们仅能获取单个失效部件进行分析(有时甚至没有,在轨卫星故障时),而专家分析结论(包括纠正措施)对避免同类问题复发至关重要。航天失效分析涵盖全部零部件类型,包括机械件、材料以及电子电气与机电(EEE)部件。从连接器到商用超大规模集成电路(VLSI)等各类失效EEE元器件,均在法国国家空间研究中心(CNES)实验室完成分析。我们将通过包含VLSI在内的典型案例,展示从元器件到系统的全方位分析对象。商用VLSI数量激增既是重大趋势也是严峻挑战,这迫使我们研发新型"无CAD"技术来应对这些关键复杂器件缺失网表与版图数据的问题。

    关键词: 激光刺激、卫星、发射器、专业知识、时间分辨成像、激光探测、超大规模集成电路、缺陷定位、失效分析、假冒产品、集成电路

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 硅基异质集成III-V族激光器的最新进展

    摘要: 由于间接带隙的特性,广泛应用的硅CMOS在发光方面效率极低。硅激光器的集成被视为实现全硅光子学应用的"珠穆朗玛峰"。主要挑战在于材料异质性导致的器件性能下降。我们将简要概述硅基集成III-V族激光器的最新进展,重点介绍实现异质直接键合/粘接的方法及相关光耦合结构,并精选评述近年来用于光谱学、传感、计量和微波光子学等新兴领域的代表性新型异质集成硅激光器,包括DFB激光器阵列、超密集梳状激光器和纳米激光器。最后将讨论异质集成方法面临的挑战与机遇。

    关键词: 硅光子学、异质集成、集成电路、激光器

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 基于CRLH-TL的聚酰亚胺片上高增益超表面天线用于太赫兹以下集成电路

    摘要: 本文提出了一种基于超表面的新型片上天线的设计方案,该天线采用标准CMOS工艺,在厚度为500微米的双层聚酰亚胺衬底上实现。3微米厚的铝制接地板夹在两层聚酰亚胺之间,顶层辐射贴片下方的接地板中蚀刻有同心介质环。辐射贴片由排列成3×3矩阵的同心金属环构成。通过底层聚酰亚胺层上的微带馈线,利用接地板同心介质环间隙耦合电磁能量来激励天线。开路馈线分为三个分支,与辐射单元对齐以耦合最大能量。该结构中,同心金属环本质上作为串联左手电容CL,可在不改变尺寸的情况下扩展天线有效孔径面积;接地板中的同心介质环则作为并联左手电感LL,能抑制表面波并降低衬底损耗,从而提升带宽和辐射性能。整体结构表现为一种超表面,展现出0.350-0.385太赫兹的超宽带特性,平均辐射增益8.15dBi、效率65.71%。其6×6×1毫米的尺寸使其非常适合片上集成应用。

    关键词: 超表面、集成电路、片上天线的聚酰亚胺衬底、太赫兹以下频段

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 光子与电子应用的纳米复合材料 || 基于有机-无机杂化材料的绿色光子集成电路

    摘要: 在过去十年中,数据通信、存储及传感领域的大多数应用都实现了高度集成化,这促使光学元件朝着高集成度方向整合与适配[1]。为此,光子集成电路(PICs)因其能在单芯片(一体化封装)内集成多个光学元件而备受关注,可有效减小尺寸、重量、功耗并降低光电转换成本[2]。PICs的其他优势——如光纤连接数量最少、高灵敏度及电磁免疫性——也使其成为研究热点[3]。

    关键词: 有机-无机杂化材料、光子集成电路(PICs)、绿色光子学、光学元件、集成电路

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 长程多层混合等离子体波导器件与集成电路

    摘要: 本研究首次在1.55微米工作波长下,提出并研究了基于CMOS兼容的混合绝缘体-金属-绝缘体(HIMI)平面等离子体激元波导的组件,包括跑道形环形谐振器、Y型分束器、耦合器以及双抛物线轮廓纳米天线。利用CST微波工作室分析了这些组件在不同参数变化下的性能。所提出的跑道形环形谐振器在0.40微米半径和0.49微米间隔长度下,实现了153.88纳米的自由光谱范围、0.3232纳米的半高全宽和46.57分贝的消光比。Y型分束器在两个输出臂中均分配了46.85%的等功率,耦合器则在耦合臂中实现了高达86.5%的功率耦合。双抛物线轮廓纳米天线分别提供了7.99分贝的增益、203太赫兹的带宽和84.56%的效率?;谒姓庑┳榧股杓撇⒀芯苛擞糜谄嫌τ玫腍IMI等离子体激元集成电路。所提出的组件在芯片级集成电路中表现出极高的工作效率。本研究为未来的芯片级应用奠定了基础。

    关键词: 分束器、等离激元、环形谐振器、集成电路、混合、耦合器

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 可编程集成硅光子波导网格:优化设计与控制算法

    摘要: 可编程集成光子学是一个新兴研究领域,旨在集成大规??芍毓构庾釉允迪至榛疃嘌墓庾蛹傻缏?。本文综述了通用波导网格架构的最新研究进展,重点关注那些能够合成光反馈回路的架构。我们首次提出一种生成同向元件波导网格图案的新设计方法,该创新对提升性能、缓解集成密度这一主要可扩展性限制具有特殊意义。论文最后介绍了基于导数法和非导数法的波导网格控制算法,这些控制方法为大尺度波导网格的自重构提供了验证依据。特别地,我们运用计算优化算法对六边形波导网格进行编程,分别模拟了1×8波束形成网络和基于非平衡MZI设计的光学滤波器。总体而言,本文提供了实现真正实用化软件定义光子集成电路的技术方案。

    关键词: 可重构电路、信号处理、可编程光子学、集成电路、控制算法

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • [2018年IEEE精密电磁测量会议(CPEM 2018)- 法国巴黎(2018年7月8日-7月13日)] 2018年精密电磁测量会议(CPEM 2018)- 可编程约瑟夫森电压标准对地漏电流的测量

    摘要: 可编程约瑟夫森电压标准(PJVS)的漏电流相关电压误差是直接比较电压标准时不确定度的最大来源之一。由于PJVS采用并联偏置方案及由此产生的多条漏电路径,"漏电阻"与"漏电流"这两个量值并不必然等同。本文提出了一种针对特定PJVS输出电压测量并建模接地漏电流的方法。通过升级美国国家标准与技术研究院(NIST)系统的简易组件,可在10V电压下将接地漏电流从250皮安降至50皮安。

    关键词: 集成电路、测量、数模转换、电压、标准、约瑟夫森阵列、超导

    更新于2025-09-10 09:29:36