不同退火温度下形成的W/4H-SiC肖特基接触非均匀势垒与相组成的分析

摘要： 通过电流-电压-温度（I-V-T）和电容-电压-温度（C-V-T）技术，在25℃-175℃温度范围内测量了不同退火温度下形成的W/4H-SiC肖特基接触的电学特性。势垒高度（BH）和理想因子（n）的测试温度依赖性表明存在非均匀势垒。应用Tung模型评估非均匀程度，发现400℃退火样品在所有肖特基接触中具有最低的T0值44.6K。C-V-T测量获得的势垒高度与测试温度无关，表明其具有均匀性。X射线衍射（XRD）分析显示，当钨在较低温度（≤500℃）沉积或退火时存在两种空间群。600℃退火样品中出现W2C相，导致低势垒高度和高T0值。500℃退火样品在所有测试温度下具有最高势垒高度，表明该温度是W/4H-SiC肖特基整流器高温应用的最佳退火温度。