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不同退火温度下形成的W/4H-SiC肖特基接触非均匀势垒与相组成的分析

DOI：10.1088/1674-1056/27/9/097305 期刊：Chinese Physics B 出版年份：2018 更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要： 通过电流-电压-温度（I-V-T）和电容-电压-温度（C-V-T）技术，在25℃-175℃温度范围内测量了不同退火温度下形成的W/4H-SiC肖特基接触的电学特性。势垒高度（BH）和理想因子（n）的测试温度依赖性表明存在非均匀势垒。应用Tung模型评估非均匀程度，发现400℃退火样品在所有肖特基接触中具有最低的T0值44.6K。C-V-T测量获得的势垒高度与测试温度无关，表明其具有均匀性。X射线衍射（XRD）分析显示，当钨在较低温度（≤500℃）沉积或退火时存在两种空间群。600℃退火样品中出现W2C相，导致低势垒高度和高T0值。500℃退火样品在所有测试温度下具有最高势垒高度，表明该温度是W/4H-SiC肖特基整流器高温应用的最佳退火温度。
作者： Sheng-Xu Dong，Yun Bai，Yi-Dan Tang，Hong Chen，Xiao-Li Tian，Cheng-Yue Yang，Xin-Yu Liu
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

测量不同退火温度下形成的W/4H-SiC肖特基接触的电学特性，并分析其非均匀势垒和相组成。

研究成果

500℃退火处理的样品在所有测试温度下均表现出最高的势垒高度（BH），这表明该W/4H-SiC肖特基整流器存在适用于高温工作的最佳退火温度。高退火温度下出现的W2C相会导致更多具有较低势垒高度的斑块区域，从而造成势垒高度的高度不均匀性。

研究不足

本研究仅限于分析W/4H-SiC肖特基接触，未探讨其他材料或结构。研究了退火温度对W/SiC肖特基接触性能的影响，但未考虑影响肖特基接触性能的其他因素。

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