导带非抛物性对GaAs/Ga1?xAlxAs双半V形量子阱非线性光学特性的影响

摘要： 本文采用紧致密度矩阵方法，研究了导带非抛物性（NPBE）对双半V形GaAs/Ga1?xAlxAs量子阱（QWs）电子态相关的三次谐波产生（THG）、线性与非线性子带间光学吸收系数（OACs）的影响。同时基于位置依赖的有效质量体系，通过有限差分与自洽技术计算该系统的电子结构。我们对比了考虑与非考虑NPBE两种情况的结果，发现：（1）NPBE对双半V形量子阱的子带能级具有显著影响；（2）由于采用自洽选取的能量相关有效质量m*(E)，考虑NPBE时THG与非线性OACs共振峰的振幅与位置呈现复杂变化行为。