[2018年IEEE光子学会议(IPC) - 美国弗吉尼亚州雷斯顿(2018.9.30-2018.10.4)] 2018年IEEE光子学会议(IPC) - 用于C波段连续谱生成的无裂纹绝缘体上氮化硅非线性电路

摘要： 我们报道了绝缘体上氮化硅非线性光子电路的制备与测试，该电路可与基于硅的光电子器件实现互补金属氧化物半导体（CMOS）兼容的单片共集成。特别地，我们开发了一种工艺来制备低损耗、无裂纹的730纳米厚Si3N4薄膜，用于基于克尔效应的非线性功能，并且该工艺与现有硅光子学和前端硅光电子学完全兼容。实验证据表明，基于这种无裂纹氮化硅薄膜的2.1厘米长纳米线能够通过自相位调制产生覆盖1515-1575纳米波段的频率连续谱。这项工作为研制时间稳定、功率高效的基于克尔效应的宽带光源铺平了道路，该光源与CMOS生产线上的硅光子集成电路具有完全的工艺兼容性。