585纳米发光二极管通过旁分泌效应上调受照角质形成细胞中H19/miR-675轴来抑制黑色素生成

摘要： 585纳米发光二极管已被证实可抑制黑素细胞中的黑素生成。然而，该波长LED是否会影响正常人表皮角质形成细胞（NHEKs）及其照射后对黑素生成的旁分泌效应尚不明确。目的：阐明585纳米LED通过NHEKs及其外泌体的旁分泌作用抑制黑素生成的体外可能机制。方法：采用CCK8法检测不同能量密度585纳米LED照射的NHEKs细胞活性，将照射后的NHEKs培养基与黑素细胞共培养，检测黑色素含量、酪氨酸酶活性及黑素生成相关酶活性。通过电镜和纳米颗粒追踪分析分离鉴定NHEKs培养基中的外泌体，分析H19及其编码的外泌体miR-675表达变化。结果：0-20 J/cm2能量密度的585纳米LED照射对NHEKs无细胞毒性。与照射后的NHEKs培养基共培养后，黑色素含量和酪氨酸酶活性降低，小眼畸形相关转录因子（MITF）、酪氨酸酶（TYR）及酪氨酸酶相关蛋白1（TRP-1）在mRNA和蛋白水平的黑素生成活性均下调。已证实与黑素生成相关的NHEKs来源H19及其衍生外泌体miR-675在照射后显著上调。此外，敲低NHEKs中H19或抑制miR-675可减弱585纳米LED对黑素生成的抑制作用。结论：本研究证明585纳米LED可通过上调NHEKs中H19及其衍生外泌体miR-675来抑制黑素生成，该机制被视为调控黑素生成的新型旁分泌因子。