修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

4 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • [IEEE 2019 AEIT国际年会（AEIT）- 意大利佛罗伦萨（2019年9月18日-2019年9月20日）] 2019年AEIT国际年会（AEIT）- 考虑以碳化硅MOSFET为开关器件并采用光伏电源的中点钳位逆变器预测电流控制

    摘要： 本文提出了一种三相三电平中点钳位（3L-NPC）逆变器的预测电流控制方法。其主要贡献在于分析了直流母线电压对特定类型功率半导体器件（即碳化硅MOSFET）构成的3L-NPC逆变器输出特性的影响。直流母线电源采用光伏阵列，其串联组件数量的选取采用启发式方法确定。所有分析与结果均通过Matlab/Simulink仿真平台完成。

    关键词： 中性点钳位变流器、预测电流控制、光伏系统、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC-MOSFET）

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 基于120度母线钳位PWM的三相光伏并网逆变器PID控制

    摘要： 本文提出了一种新型三相光伏PID电流控制系统在低压配电网中的运行方式，该方式引入了120度母线钳位PWM控制方法（120° BC-PWM）。120° BC-PWM是一种特殊开关序列技术，在PWM和PID控制状态下每60°仅对单相使用母线钳位序列而其他两相保持钳位状态。该方法通过生成六路PWM信号控制三相逆变系统，在恒定功率输入和小容量直流母线薄膜电容条件下实现每60°周期调控。本文主要目标是采用新型PWM技术与PID电流控制方法降低三相逆变器开关损耗，通过缩短各晶体管导通时间将其损耗降至1/3。BC-PWM方法的仿真结果显示并网三相逆变系统性能得到提升。所建系统仿真平台采用SiC MOSFET器件，规格为5kVA/400V线间电压/25kHz开关频率。PID控制并非持续作用于各相，而是在半周期内每60°启用并在120°达到饱和，经适当调节抗饱和后能快速恢复。

    关键词： SIC MOSFET、电流控制、PWM、120度母线钳位、PID、三相逆变器

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • [IEEE 2018年第19届国际电子封装技术会议（ICEPT） - 上海（2018年8月8日-2018年8月11日）] 2018年第19届国际电子封装技术会议（ICEPT） - 基于TCAD仿真的4H-SiC MOSFET可靠性研究

    摘要： 基于TCAD仿真研究了4H-SiC MOSFET的可靠性。结果表明：漏电流随环境温度升高而增大，而击穿电压基本保持恒定。局部电场聚焦显示，在P基区和JFET区之间存在局部击穿区域。值得注意的是，在短路条件下，由于局部热点效应，SiC MOSFET会因金属电极熔化和栅极氧化层击穿而损坏。

    关键词： TCAD、热点、可靠性、4H-SiC MOSFET

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • [2018年IEEE第18届国际电力电子与运动控制会议(PEMC) - 匈牙利布达佩斯(2018.8.26-2018.8.30)] 2018年IEEE第18届国际电力电子与运动控制会议(PEMC) - 不同寄生电感对SiC MOSFET开关行为的影响

    摘要： 本文通过实验研究了寄生电感对碳化硅MOSFET半桥开关性能的影响。由于宽带隙功率半导体器件的开关动态特性比硅器件高出数个数量级，开关单元中的寄生元件变得愈发重要——它们会限制电流和电压变化率并引发振荡。深入理解这些效应对于设计高效、集成的下一代电力电子变换器至关重要。论文提出了一种实现低成本、高重复性纳亨级可变电感的实施方案，并搭建了配备碳化硅MOSFET的测试PCB板，在改变开关单元中所有相关电感值的条件下进行双脉冲实验。研究结果从开关性能角度进行了分析，通过对比硅器件与碳化硅器件的开关暂态差异，结合寄生元件特性阐明了其成因。

    关键词： 开关性能、电力电子、寄生电感、双脉冲实验、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）

    更新于2025-09-04 15:30:14