研究目的
通过TCAD仿真研究4H-SiC MOSFET在雪崩击穿和短路条件下的可靠性。
研究成果
研究了4H-SiC MOSFET在雪崩击穿和短路条件下的可靠性。结果表明，漏电流随环境温度升高而增大，而击穿电压保持恒定。观察到P基区与JFET区域之间存在局部电场集中现象。在短路条件下，器件可能因金属电极熔化和局部热点导致的栅氧化层击穿而损坏。
研究不足
该研究基于仿真，可能无法完全反映所有实际运行条件和变化。仿真聚焦于单个4H-SiC MOSFET单元，不同设计或条件下结果可能存在差异。
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[IEEE 2018年第19届国际电子封装技术会议（ICEPT） - 上海（2018年8月8日-2018年8月11日）] 2018年第19届国际电子封装技术会议（ICEPT） - 基于TCAD仿真的4H-SiC MOSFET可靠性研究
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[IEEE 2018年第19届国际电子封装技术会议（ICEPT） - 上海（2018年8月8日-2018年8月11日）] 2018年第19届国际电子封装技术会议（ICEPT） - 基于TCAD仿真的4H-SiC MOSFET可靠性研究
DOI：10.1109/ICEPT.2018.8480607
出版年份：2018
更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要：
基于TCAD仿真研究了4H-SiC MOSFET的可靠性。结果表明：漏电流随环境温度升高而增大，而击穿电压基本保持恒定。局部电场聚焦显示，在P基区和JFET区之间存在局部击穿区域。值得注意的是，在短路条件下，由于局部热点效应，SiC MOSFET会因金属电极熔化和栅极氧化层击穿而损坏。
作者：
Houcai Luo，Chunjian Tan，Huaiyu Ye，Yiping Huang，Kai Zheng，Shaogang Wang，Liming Wang，Xianping Chen
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