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基于AlInGaN的超晶格p区用于提升深紫外LED性能
摘要： 提出了一种由特殊设计的中间p型区构成的深紫外发光二极管（DUV LED），该区域包含超晶格四元氮化物合金。研究发现，在200 A/cm2电流密度下，该结构的出光功率显著提升，约为传统结构的28.30倍。其最大内量子效率比传统结构高出153.63%，且效率衰减降低了99.08%。超晶格p-AlInGaN层提供的应变补偿消除了陡峭势垒，为增强有源区空穴注入提供了有效方案，从而显著提升了DUV LED的性能。
关键词： 效率下降，超晶格-AlInGaN，应变补偿，深紫外LED
更新于2025-09-23 15:21:01
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宽带隙AlInGaN四元合金上(Ni/Pt)肖特基接触的电流传导机制中的高斯分布
摘要： 研究了AlInGaN四元合金上未退火及450°C退火的(Ni/Pt)肖特基接触在80-320K温度范围内的导电机理。采用热电子发射理论评估了零偏压势垒高度(ΦB0)和理想因子(n)。I-V特性计算得出的ΦB0和n值呈现显著温度依赖性，这种行为归因于肖特基势垒的不均匀性。通过绘制ΦB0-n和ΦB0-q/2kT关系图获取金属/半导体界面高斯分布(GD)证据，发现未退火与退火接触在低温和中温区均呈现两个不同线性段?；讦礏0-q/kT线性段计算了两组样品的ΦB0平均值和标准差(σ0)。修正理查德森图（包含势垒不均匀性影响）得出：未退火接触在低温区有效理查德森常数(A*)和平均势垒高度分别为19.9 A cm?2 K?2和0.59 eV，中温区为43.3 A cm?2 K?2和1.32 eV；退火接触对应值为19.6 A cm?2 K?2/0.37 eV（低温）和42.9 A cm?2 K?2/1.54 eV（中温）。采用双高斯分布处理中温数据时，所得理查德森常数（44.7 A cm?2 K?2）与AlInGaN理论值高度吻合。因此，80-320K温度范围内未退火与退火肖特基接触的I-V-T特性可通过含双高斯势垒分布的热电子发射理论得到合理解释。
关键词： AlInGaN，势垒高度，肖特基接触，高斯分布，热电子发射
更新于2025-09-11 14:15:04
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热退火对四元AlInGaN外延层上Ni/Pt肖特基接触电学与结构特性的影响
摘要： 在四元Al0.84In0.13Ga0.03N外延层上制备了Pt/Au、Ni/Au和Ni/Pt/Au肖特基接触。通过电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)测试，研究了原始沉积态及不同退火温度下Ni/Pt/Au肖特基接触的电学与结构特性。根据I-V法、Norde法和C-V法测量，原始沉积的Pt/Au接触具有最高肖特基势垒高度(SBH)（I-V测得0.82 eV，Norde法0.83 eV，C-V法1.09 eV）。退火Ni/Pt/Au接触的SBH经I-V计算分别为：300°C时0.80 eV，400°C时0.79 eV，500°C时0.78 eV，显示其随退火温度升高至500°C持续降低。退火样品中出现的额外衍射峰证实界面形成了新相，但衍射图谱未随退火温度变化。原始沉积的Pt/Au(5.69)、Ni/Au(6.09)和Ni/Pt/Au(6.42)接触以及300°C(6.89)、400°C(7.43)和500°C(8.04)退火的Ni/Pt/Au接触均呈现较高理想因子，这归因于热电子发射之外的电流输运机制（如位错相关隧穿效应）。
关键词： A3. 金属有机化学气相沉积（MOCVD），退火效应，A1. 肖特基，B1. AlInGaN
更新于2025-09-10 09:29:36
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材料科学与工程参考?？?|| 基于氮化物的短波紫外光源
摘要： 基于III族氮化物的短波长紫外（UV）光源，如激光二极管（LD）和发光二极管（LED），其有源区采用能发射波长小于400纳米光的AlInGaN材料体系，因其当前应用及未来新型改进应用的潜力而备受关注。凭借其紧凑性、低成本和环保成分，紫外LED有望取代传统灯具，并将为开拓诸多新应用（尤其是便携式应用）铺平道路。
关键词： III族氮化物、激光二极管、紫外线、发光二极管、AlInGaN
更新于2025-09-09 09:28:46