通过脉冲激光沉积法实现横向准欧姆CuInSe?/InSe同型异质结的自组装用于柔性器件

摘要： 二维InSe薄膜与金属电极的接触对纳米电子柔性器件至关重要。通常Au与InSe薄膜存在较大功函数差异，会形成劣化器件性能的肖特基接触。本研究通过脉冲激光沉积在柔性云母衬底上设计横向自组装CuInSe2/InSe同型异质结，有效改善了电极与InSe薄膜的接触性能。结合X射线光电子能谱与开尔文探针力显微镜分析发现，富In的CuInSe2与InSe区域可构成准n+-n结以降低电极接触电阻。相较于Au电极的InSe薄膜，CuInSe2/InSe同型异质结的沟道电阻降低约一半，光电流提升四倍。此外，该异质结器件通过抑制暗电流在弯曲状态下仍能保持良好性能。本研究证实了CuInSe2/InSe同型异质结在柔性应用中的潜力。