修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

1 条数据
?? 中文(中国)
  • AIP会议录 [美国物理联合会出版社第15届聚光光伏系统国际会议(CPV-15) - 摩洛哥非斯(2019年3月25-27日)] 第15届聚光光伏系统国际会议(CPV-15) - 在恒定注入条件下测定Cz-Si和FZ-Si中与BO-LID和LeTID相关的激活能

    摘要: 文献中关于BO-LID再生效应的活化能数据差异显著。除其他因素外,推测存在两个可能原因导致公开数据离散:一方面,若忽略反应过程的注入依赖性可能导致结果偏差;另一方面,LeTID的并行发生可能产生影响。本研究表明,在退化与再生处理过程中保持恒定注入量可消除首因影响,但通过提取缺陷密度及注入依赖性寿命数据证实,LeTID确实存在于Cz-Si中并影响其退化再生过程。对于仅受LeTID影响的FZ-Si,测得其退化与再生活化能分别为Ea,deg = 0.78±0.09 eV和Ea,reg = 0.62±0.09 eV(与烧结温度无关)。Cz-Si的退化活化能则轻微依赖烧结温度,这可能是BO-LID与LeTID叠加效应所致。FZ-Si与Cz-Si的再生活化能在测量误差范围内保持一致。研究同时表明,BO-LID与LeTID的叠加效应并非导致文献中活化能范围宽泛的主因。

    关键词: Cz硅、FZ硅、恒定注入条件、激活能、光热诱导衰减(LeTID)、硼氧光致衰减(BO-LID)

    更新于2025-09-11 14:15:04