研究目的
在恒定注入条件下,研究BO-LID再生激活能以及LeTID对这些能量在Cz-Si和FZ-Si中的影响。
研究成果
研究表明,光致衰减(LeTID)在直拉单晶硅(Cz-Si)和区熔单晶硅(FZ-Si)中的发生强度随烧结温度不同而变化。采用恒定注入条件可更精确地拟合缺陷密度并确定激活能。硼氧光衰(BO-LID)与LeTID的再生激活能差异不显著,表明二者存在共同作用机制。实验中硼氧再生激活能的宽幅分布无法用LeTID对BO-LID的影响来解释。
研究不足
该研究仅限于在恒定注入条件下对Cz-Si和FZ-Si中BO-LID与LeTID现象的探究。关于BO-LID与LeTID的叠加效应及其对激活能的影响尚未充分研究。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用恒定注入条件以消除反应对注入的依赖性。寿命样品使用FZ和CZ法生长的掺硼硅片制备。
2:样品选择与数据来源:
样品按特定掺杂水平制备,并经表面污染物去除处理以形成磷掺杂发射极。
3:实验设备与材料清单:
设备包括WTC-120寿命测试仪、Sinton仪器公司的WCT-120TS寿命测试仪及热像仪(A655SC,FLIR)。
4:实验流程与操作步骤:
样品在80-150℃温度范围内,通过800-805纳米激光束以不同强度照射至恒定注入状态进行退化与再生处理。
5:数据分析方法:
研究采用肖克利-里德-霍尔(SRH)理论评估注入依赖性寿命数据,并通过阿伦尼乌斯图确定激活能。
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