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AIP会议录 [美国物理联合会出版社第15届聚光光伏系统国际会议(CPV-15) - 摩洛哥非斯(2019年3月25-27日)] 第15届聚光光伏系统国际会议(CPV-15) - 在恒定注入条件下测定Cz-Si和FZ-Si中与BO-LID和LeTID相关的激活能

DOI:10.1063/1.5123890 出版年份:2019 更新时间:2025-09-11 14:15:04
摘要: 文献中关于BO-LID再生效应的活化能数据差异显著。除其他因素外,推测存在两个可能原因导致公开数据离散:一方面,若忽略反应过程的注入依赖性可能导致结果偏差;另一方面,LeTID的并行发生可能产生影响。本研究表明,在退化与再生处理过程中保持恒定注入量可消除首因影响,但通过提取缺陷密度及注入依赖性寿命数据证实,LeTID确实存在于Cz-Si中并影响其退化再生过程。对于仅受LeTID影响的FZ-Si,测得其退化与再生活化能分别为Ea,deg = 0.78±0.09 eV和Ea,reg = 0.62±0.09 eV(与烧结温度无关)。Cz-Si的退化活化能则轻微依赖烧结温度,这可能是BO-LID与LeTID叠加效应所致。FZ-Si与Cz-Si的再生活化能在测量误差范围内保持一致。研究同时表明,BO-LID与LeTID的叠加效应并非导致文献中活化能范围宽泛的主因。
作者: Alexander Graf,Axel Herguth,Giso Hahn
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研究概述 实验方案 设备清单

在恒定注入条件下,研究BO-LID再生激活能以及LeTID对这些能量在Cz-Si和FZ-Si中的影响。

研究表明,光致衰减(LeTID)在直拉单晶硅(Cz-Si)和区熔单晶硅(FZ-Si)中的发生强度随烧结温度不同而变化。采用恒定注入条件可更精确地拟合缺陷密度并确定激活能。硼氧光衰(BO-LID)与LeTID的再生激活能差异不显著,表明二者存在共同作用机制。实验中硼氧再生激活能的宽幅分布无法用LeTID对BO-LID的影响来解释。

该研究仅限于在恒定注入条件下对Cz-Si和FZ-Si中BO-LID与LeTID现象的探究。关于BO-LID与LeTID的叠加效应及其对激活能的影响尚未充分研究。

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