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III-V族双异质结双极晶体管的可扩展紧凑建模：面向太赫兹应用的潜在优值指标
摘要： 我们采用基于HiCuM/L2紧凑模型的多几何结构可扩展参数提取方法，研究了基于InGaAs/InP和GaAsSb/InP工艺的两种III-V族双异质结双极晶体管技术的偏置、温度及频率特性。模型仿真与实验数据展现出极好的一致性。晶体管电流与结电容呈现优异的可扩展性，从而实现了本征效应与外围效应的分离。通过所生成的可扩展模型卡，对未来III-V族HBT技术性能指标进行了预测。
关键词： InGaAs/InP双异质结双极晶体管、异质结双极晶体管、紧凑模型、GaAsSb/InP双异质结双极晶体管
更新于2025-09-23 15:21:01
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GaAsSb纳米线的原位钝化以增强红外光电响应
摘要： 半导体纳米线（NWs）的表面钝化对其光电特性和应用至关重要。本研究通过实验探究了外延InP壳层的原位钝化效应及相应光电探测器性能。与未钝化的纯GaAsxSb1-x核纳米线相比，GaAsxSb1-x/InP核壳纳米线展现出更强的光致发光和阴极荧光强度。相应地，制备的单根GaAsxSb1-x/InP核壳纳米线光电探测器在1.3μm波长、1.5V偏压下实现了325.1 A/W的响应度（较单根纯GaAsxSb1-x核纳米线探测器143.5 A/W显著提升），其探测率分别为4.7×1010和5.3×1010 cm√Hz/W，性能相当。这归因于原位钝化增强了载流子迁移率和浓度，从而同时提高了光电导率和暗电导率。结果表明，原位钝化是提升GaAs1-xSbx纳米线基光电器件性能的有效方法。
关键词： 半导体，表面钝化，红外光电探测器，GaAsSb，MOCVD，InP，纳米线
更新于2025-09-19 17:13:59
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[2018年IEEE超大规模集成电路技术研讨会 - 美国夏威夷檀香山（2018.6.18-2018.6.22）] 2018年IEEE超大规模集成电路技术研讨会 - 记录显示47 mV/dec自上而下垂直纳米线InGaAs/GaAsSb隧穿场效应晶体管
摘要： 展示了具有亚阈值摆幅（SS）低至47 mV/dec的袋状垂直纳米线InGaAs/GaAsSb隧穿场效应晶体管（TFET）。所实现的亚阈值性能是迄今III-V材料体系自上而下工艺TFET中报道的最陡峭值。采用基于CH4的干法刻蚀工艺实现了直径窄至30 nm的平滑垂直纳米线。在0.35 V供电电压下，当固定关态电流Ioff为1 nA/μm时，驱动电流接近0.7 μA/μm。
关键词： 隧道场效应晶体管、InGaAs/GaAsSb、垂直纳米线、亚阈值摆幅、III-V族材料体系
更新于2025-09-04 15:30:14