(InAs)/(InSb)多层膜中的应变分布：第一性原理计算

摘要： 通过第一性原理计算，我们揭示了(wurtzite-InAs)n/(zinc-blend-InSb)m多层样品中的界面应变弛豫现象。研究表明，沿生长方向的应变分布取决于多层结构各段层的相对厚度。这一观测结果可通过InAs与InSb间晶格失配导致的晶格形变传播来解释。最终我们证明：通过精确调控层厚来调节应变，可实现多层结构中带隙沿长度方向的变化。这种多层体系中的带隙调制在光电器件设计中具有广泛应用价值。