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(InAs)/(InSb)多层膜中的应变分布：第一性原理计算

DOI：10.1016/j.ssc.2019.01.009 期刊：Solid State Communications 出版年份：2019 更新时间：2025-09-22 18:28:03
摘要： 通过第一性原理计算，我们揭示了(wurtzite-InAs)n/(zinc-blend-InSb)m多层样品中的界面应变弛豫现象。研究表明，沿生长方向的应变分布取决于多层结构各段层的相对厚度。这一观测结果可通过InAs与InSb间晶格失配导致的晶格形变传播来解释。最终我们证明：通过精确调控层厚来调节应变，可实现多层结构中带隙沿长度方向的变化。这种多层体系中的带隙调制在光电器件设计中具有广泛应用价值。
作者： Atanu Patra，Swastika Chatterjee，Anushree Roy
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究(InAs)n/(InSb)m多层体系中的应变分布，并理解其如何依赖于组分的相对厚度，旨在为光电器件应用调节带隙。

研究成果

(InAs)n/(InSb)m多层膜中的应变分布取决于各组分的相对厚度，其中InAs段呈现压应变，InSb段呈现拉应变。该应变可通过精细调控来调制沿生长方向的带隙，这对设计光电器件具有积极意义。该发现为多层体系中的应变工程提供了研究思路。

研究不足

原子尺度应变计算方法由于界面处原子种类不同，在需要平均距离时可能不准确。该研究为计算模拟，未进行实验验证。mBJ势函数不适用于总能量估算，因此结构优化仅限于LDA方法。

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