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具有高阶分布式反馈表面光栅的窄线宽InGaN/GaN绿色激光二极管
摘要： 我们展示了在室温连续波注入下工作的513.85纳米窄线宽绿色激光发射，其线宽为31皮米，边模抑制比为36.9分贝。通过聚焦离子束在多模氮化铟镓基绿色激光二极管上制备的高阶（第40阶）分布反馈表面光栅，实现了分辨率极限的单模激射，输出光功率达14毫瓦，激射阈值电流密度为7.27千安/平方厘米，最大斜率效率为0.32瓦/安培。这种窄线宽绿色激光二极管的实现，为高效光通信、传感和原子钟应用开辟了新途径。
关键词： InGaN/GaN，绿色激光二极管，分布反馈，窄线宽，表面光栅
更新于2025-11-28 14:23:57
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《美国物理联合会会议录》[美国物理联合会 第三届凝聚态物质与应用物理国际会议（ICC-2019）- 印度比卡内尔（2019年10月14-15日）] 第三届凝聚态物质与应用物理国际会议（ICC-2019）- 极化场与俄歇复合对InGaN/GaN蓝光LED内量子效率的影响
摘要： InxGa1-xN/GaN蓝光LED面临显著的效率衰减问题。效率衰减的原因包括肖克利-里德-霍尔复合（SRH）、俄歇复合（AR）、载流子离域化和电子泄漏。SRH、俄歇复合和电子泄漏均与载流子浓度及温度相关。InGaN/GaN超晶格界面存在极化电场。本研究探讨了极化电场对效率衰减的影响。结果表明，极化场会增强俄歇系数，导致蓝光LED内量子效率出现更严重的衰减。因此，为提升效率需最小化极化场，这要求材料在m面而非c面生长。
关键词： 效率下降、极化电场、俄歇复合、蓝光LED、InGaN/GaN
更新于2025-09-23 15:21:01
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采用田口方法优化InGaN/GaN LED的p型欧姆接触
摘要： 氮化镓上低电阻p型欧姆接触一直是研究热点，因为其缺失会阻碍高效LED和激光二极管的制备。接触形成是一个包含沉积与退火的两步过程，接触电阻强烈依赖于这两个过程的参数设置。为获得优化参数值通常需要进行大量实验，但采用高效的田口方法设计实验可大幅减少测试次数。本研究运用该方法，通过精简实验组研究了各参数对p型接触形成的影响。最终测得归一化接触电阻为0.15 Ω·cm、转移长度为0.18 μm、器件比电阻率为4.52×10?? Ω·cm2，并分析了各参数对接触电阻的敏感度。
关键词： 田口方法，p-欧姆，InGaN/GaN，发光二极管
更新于2025-09-19 17:13:59
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通过直流和小信号交流分析评估高温下工作的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的性能
摘要： 研究了InGaN/GaN多量子阱（MQW）太阳能电池的温度依赖性直流和交流特性，并确定了量子阱数量和厚度差异的影响。结果表明，在高温下载流子输运主要受热电子发射而非隧穿效应主导，但受耗尽区外复合过程限制。通过改进的器件交流电路模型，测定了高注入水平下III族氮化物MQW器件的温度相关交流参数。研究表明，采用交流小信号分析方法及其提取量子阱中存储电荷的能力，以及将内建电位与开路电压VOC等太阳能电池关键参数进行对比，能为器件设计者提供仅靠直流分析无法获得的深入认知。这些关键数据表明，量子阱数量和总耗尽体积需要与特定高温太阳能电池的工作温度相匹配。
关键词： 交流电路模型、多量子阱、太阳能电池、复合、开路电压（VOC）、直流与交流分析、耗尽区、内建电势、氮化铟镓/氮化镓（InGaN/GaN）、热电子发射、载流子输运、温度依赖性
更新于2025-09-19 17:13:59
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硅衬底上生长的绿色InGaN基LED中电致发光峰能的波形温度依赖特性
摘要： 本研究旨在探究基于硅衬底的多量子阱（MQW）绿色InGaN/GaN发光二极管（LED）电致发光（EL）光谱在不同注入电流（IC，范围0.001-350 mA）和温度（6-350 K）条件下的温度依赖特性。结果表明：随着注入电流增大，EL峰能值的温度变化特征逐渐从近似V型温度依赖演变为波状（三阶蓝移）依赖，最终呈现近似倒V型温度依赖。该现象反映出InGaN相关发射过程显著受载流子复合动力学随温度或电流升高的影响，这归因于多量子阱有源区存在三个不同平均铟含量区的强载流子局域化效应。此外，在低注入电流下降温时，外量子效率（EQE）值的温度行为主要受非辐射复合中心失活支配——该现象不仅出现在高温区间，在低温区也因铟含量诱导的结构缺陷而存在（通过积分EL强度及EQE随注入电流变化测量得到验证）。
关键词： 电致发光，InGaN/GaN，载流子局域化，发光二极管，温度依赖性
更新于2025-09-19 17:13:59
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硅掺杂对InGaN/GaN多量子阱太阳能电池性能的影响
摘要： 研究了GaN势垒中具有五种不同硅掺杂浓度（即0、4×101? cm?3、1×101? cm?3、3×101? cm?3和6×101? cm?3）的InGaN/GaN多量子阱（MQW）太阳能电池的性能。提高硅掺杂浓度可改善传输特性，从而降低串联电阻（Rs）。然而，当硅掺杂浓度超过1×101? cm?3时，晶体质量会下降，导致外量子效率、短路电流密度和开路电压降低。因此，硅掺杂浓度为4×101? cm?3的轻微掺杂样品展现出最高的转换效率。
关键词： 硅掺杂、InGaN/GaN、多量子阱、太阳能电池
更新于2025-09-12 10:27:22