GaAs衬底上NiMnAs薄膜的外延生长与磁性能

摘要： 在GaAs(001)衬底上生长了具有应变C1b对称性的单相Ni0.92Mn1.08As薄膜。同步辐射测量进一步揭示了(001)取向GaAs上优先外延的(110)取向Ni0.92Mn1.08As构型。研究发现，该薄膜的磁性能明显受生长温度影响，其最佳生长温度确定为≈370°C。根据X射线吸收光谱结果，这些现象可归因于锰原子局部电子结构的变化。本研究为理论预测的半金属NiMnAs的深入研究提供了有价值的信息。