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高载流子迁移率还原氧化石墨烯薄膜器件的温度依赖性电输运特性
摘要： 我们证实了通过脉冲激光沉积法制备的高迁移率还原氧化石墨烯（RGO）薄膜具有可变的电输运特性。温度依赖性（5K–350K）的四端电输运测量显示：在低温区（5K–210K）和高温区（210K–350K），载流子分别呈现变程跳跃和热激活输运机制。计算得出的局域长度、费米能级（EF）附近态密度、跳跃能及阿伦尼乌斯能隙为解释RGO薄膜的优异电学性能提供了重要依据?；舳ㄒ坡什饬恐な当∧こ蕄型特性。通过调节生长参数可调控载流子霍尔迁移率，实测最大迁移率达1596 cm2V?1s?1。拉曼光谱和X射线衍射分析揭示的结构特性（如缺陷密度、sp2团簇平均尺寸及还原程度）有力支撑了电学性能优化的实现。
关键词： PLD（脉冲激光沉积）、变程跳跃传导、拉曼光谱、霍尔迁移率、还原氧化石墨烯、局域化长度
更新于2025-09-23 15:22:29
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脉冲激光沉积技术助力高性能光电探测器取得新进展
摘要： 过去十年间，光电探测器在图像传感、光通信、火灾探测、环境监测、太空探索、安全检测等诸多科研与工业技术领域展现出重要应用价值，被视为可穿戴设备的关键组件。与传统制备工艺相比，脉冲激光沉积（PLD）技术制备的光电探测器材料具有多重优势：首先，该技术属于洁净的物理气相沉积方法，能将化学计量比的原子从靶材精准转移至衬底，避免复杂且潜在危险的化学反应；其次，整个过程在高真空环境下进行，几乎不会引入催化剂、前驱体、表面活性剂及副产物等污染物；通过调节脉冲激光的能量与脉冲次数即可精确控制薄膜厚度；其制备温度相对较低，适用于包括柔性衬底在内的多种基底材料沉积；最重要的是，该技术具备大面积成膜能力，可制备厘米级薄膜，其平面几何结构为结合现代半导体技术实现紧凑型器件集成提供了重要潜力。本综述将从整体视角介绍脉冲激光沉积技术在高性能光电探测器材料、制备工艺及应用领域的最新进展，并探讨当前挑战与未来发展趋势。
关键词： 可穿戴设备、制造、光电子学、应用、光电探测器、PLD、脉冲激光沉积、高性能、材料
更新于2025-09-23 15:21:01
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可见光增强型银掺杂PbI2纳米结构/Si异质结光电探测器：掺杂浓度对光电探测器参数的影响
摘要： 本文研究了掺杂浓度对脉冲激光沉积(PLD)法制备的PbI2纳米结构薄膜及p-PbI2:Ag/n-Si光电探测器性能的影响。实验采用1%、3%和5%的银掺杂浓度制备PbI2薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明，所有沉积的PbI2薄膜均为多晶结构，沿(001)晶面呈现良好结晶的六方结构。结构分析显示，随着掺杂浓度增加，薄膜晶粒尺寸减小。能量色散X射线光谱(EDX)、扫描电子显微镜(SEM)及元素分布分析证实薄膜中存在Pb、I和Ag元素且接近化学计量比。PbI2薄膜的拉曼光谱显示，在73、94.3、108、165.7和208.9 cm?1处分别对应E2振动模式的拉曼峰，其中5 wt%掺杂薄膜在185 cm?1处出现对应2E1的拉曼峰。银掺杂后薄膜光学带隙从2.8 eV降至2.3 eV?；舳饬恐な党粱腜bI2薄膜为p型，其电阻率随掺杂浓度从1%增至5%而从1.1×104 Ω cm升高至1.8×107 Ω cm。
关键词： PLD（脉冲激光沉积）、拉曼光谱、2H多型体、碘化铅（PbI2）、光电探测器、掺银碘化铅（Ag:PbI2）
更新于2025-09-19 17:13:59
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由p型超纳米晶金刚石薄膜和n型硅衬底构成的异质结二极管参数
摘要： 在本研究中，通过脉冲激光沉积法制备了由p型超纳米晶金刚石/氢化非晶碳复合膜（UNCD/a-C:H）与n型硅衬底构成的异质结。为通过热电子发射（TE）理论和Norde模型提取其结区参数，在300至60K的不同温度下测量了暗态电流密度-电压曲线。根据TE理论，300K和60K时的理想因子值分别为2.70和8.66，这表明在300K时除隧道效应外，结界面还存在显著的复合过程，而低温下隧道效应占主导地位。300K和60K时的势垒高度值分别为0.78eV和0.18eV，串联电阻（Rs）值分别为275.24Ω和78.66kΩ。低温下Rs的增大可能源于B掺杂UNCD/a-C:H膜中载流子浓度随温度降低而减少。
关键词： PLD（脉冲激光沉积）、薄膜、UNCD/a-C:H（超纳米晶金刚石/非晶碳氢）、异质结、结参数
更新于2025-09-09 09:28:46