用于增高空腔基片集成波导的宽带过渡结构

摘要： 最近，空腔基片集成波导（ESIW）技术被提出，用于将空腔波导嵌入平面基片中以提升其性能。先前研究展示了一种基于四层结构的低损耗窄带微带线至增高型ESIW的过渡结构，并据此实现了Q波段超高Q值带通滤波器。通过这种基于四分之一波长变换器的窄带过渡，采用Q值为1000的谐振器获得了极窄带的滤波器响应。本文为突破窄带限制和四层结构输出约束，拓展增高型ESIW在窄带滤波器之外的实际应用，提出了一种新型任意层数微带线至增高型ESIW的宽带过渡结构。本研究设计了一套适用于Ka波段的完整宽带过渡方案（基片层数3至8层可调），该方案经尺寸比例缩放后亦可便捷移植至其他频段。为佐证该设计方法，原始Ka波段过渡结构已成功映射至Ku波段并取得优异效果。为验证设计方案，研究团队在Ka波段制备了四层结构原型，在ESIW整个有效带宽范围内均实现了优良性能。