- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
一种改进型单相无变压器光伏逆变器：具备漏电流消除与无功功率能力
摘要： 单相无变压器逆变器因其显著降低系统重量、成本并提升效率的优势，在住宅光伏应用领域被广泛研究。该类逆变器的设计基于电气隔离方法来消除漏电流的产生。然而，仅采用电气隔离方法无法实现恒定的共模电压（CMV），因此无法完全消除漏电流。此外，现有单相无变压器逆变器的调制技术专为单位功率因数应用设计。实际上，下一代光伏系统需要支持无功功率以实现与电网的连接。本文提出一种改进的单相无变压器逆变器，通过钳位方法在所有逆变器工作模式下维持恒定CMV。进一步通过在负功率区域创建新电流通路来优化调制技术，从而在负功率区形成双向电流通路以实现无功功率输出。仿真结果表明：CMV被完全钳制在直流母线电压的一半水平，漏电流几乎完全消除；改进后的调制技术成功实现了无功功率输出。同时分析了常规与改进调制技术下的电网电流总谐波畸变率（THD）。采用碳化硅MOSFET等宽禁带（WBG）开关器件提升了系统效率。研究发现：由于双向电流通路导致导通损耗增加，系统在输出无功功率时效率会有所下降。
关键词： 漏电流、无变压器逆变器、无功功率、宽禁带（WBG）、碳化硅（SiC）、光伏（PV）发电系统
更新于2025-09-23 15:23:52
-
中压电机驱动中碳化硅功率电子器件的区域制造成本结构与供应链考量
摘要： 随着宽带隙（WBG）半导体（特别是碳化硅SiC）技术的发展成熟，现已有必要深入理解其制造成本驱动因素、区域制造成本差异及工厂选址决策。此外，持续的研究与投资亟需分析性研究来指导宽带隙技术的发展方向。本文探讨了大规模量产预期下的器件、?？榧暗缁杀荆笔崂砹说鼻肮┯α吹那蚬毕渍?，并提出如何利用基础模型评估拟议研究进展的降本潜力。
关键词： 宽带隙、供应链、碳化硅、宽禁带、宽带隙、技术经济、WBG、自下而上、中压、电机驱动、宽禁带、分析、电力电子、成本模型
更新于2025-09-23 15:22:29
-
GaN栅极注入晶体管（GIT）的紧凑模型与TCAD仿真
摘要： 宽带隙（WBG）半导体器件是电力应用领域一项颇具前景的新兴技术，近期正逐步获得商业认可。氮化镓（GaN）凭借高带隙、高迁移率、高饱和速度及高击穿电压等优势，成为最具竞争力的候选材料之一。在电力电子应用中，增强型GaN器件比耗尽型器件更具优势，但直至近年才实现商业化。本研究采用的增强型器件为GaN栅极注入晶体管（GIT），通过增设p型掺杂栅极实现常关特性。本文基于物理紧凑模型和TCAD（技术计算机辅助设计）数值模拟，展示了GaN-GIT器件的电流-电压（I-V）特性，并预测建模了该器件的工作行为。研究同时对比了适用于kHz至MHz频段低频电力电子应用的紧凑模型与TCAD仿真结果。
关键词： GIT（门极隔离晶体管）、GaN（氮化镓）、WBG（宽禁带半导体）、TCAD（技术计算机辅助设计）、HEMT（高电子迁移率晶体管）
更新于2025-09-23 15:21:01
-
[2018年IEEE第六届宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA) - 美国佐治亚州亚特兰大市(2018.10.31-2018.11.2)] 2018年IEEE第六届宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA) - 面向宽禁带器件的电压边沿速率限制软开关逆变器
摘要： 宽带隙（WBG）开关可实现数纳秒级的开关速度。然而更快的开关速度会产生更大的逆变器输出dv/dt。在各类应用中（尤其是电机驱动系统），人们已观察到由大dv/dt引发的多种不良效应，包括因串扰导致的WBG开关误开通、电机端子瞬态过电压、电磁干扰以及微电弧造成的电机轴承故障。限制逆变器峰值dv/dt的常用方法是在电路中插入dv/dt滤波器，但该滤波器会额外增加功率损耗并增大散热器体积/重量。软开关电路虽能降低逆变器dv/dt和开关损耗，但利用软开关精确控制dv/dt的方法尚未得到充分研究。本文提出一种名为辅助谐振软边沿极（ARSEP）的新型软开关电路，该电路改进了现有软开关方案，可通过电路参数设计实现dv/dt的精准控制?；赟iC MOSFET的ARSEP逆变器样机经过设计、仿真、制作与测试，验证了其性能优势：与传统带dv/dt滤波器的硬开关逆变器相比，ARSEP逆变器显著降低了总功率损耗、电感体积及重量。
关键词： 碳化硅MOSFET、软开关电路、辅助谐振软边沿极（ARSEP）、逆变器输出dv/dt、宽禁带（WBG）开关
更新于2025-09-04 15:30:14