化学成分可控的YbFe?O?外延薄膜制备

摘要： YbFe2O4的晶体生长需要贫氧化剂条件，因此即使在块体单晶中通常也含有大量铁空位。采用ArF激光进行激光烧蚀能有效减少活性氧物种的数量，从而获得更宽的YbFe2O4外延膜形成工艺窗口。通过利用拓宽的工艺窗口和富铁靶材，成功控制了YbFe2O4外延薄膜的化学成分。利用非线性I-V特性可以讨论铁成分对电荷有序转变的影响。由于三维(3D)电荷有序区域的展宽改变了阈值电场，该区域展宽会影响YbFe2O4薄膜中三维电荷有序对外加电场的稳定性。