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采用PECVD法通过超薄铂催化剂在GaN LED外延片上制备无转移类石墨烯薄膜用于透明电极应用
摘要： 本工作直接在氮化镓(GaN)/蓝宝石发光二极管(LED)衬底上无转移生长类石墨烯薄膜(GLTFs)，并研究其电学、光学及热学特性以评估透明电极应用潜力。采用超薄铂(2 nm)作为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)催化剂，通过调整生长参数将GaN晶圆的高温暴露降至最低(沉积温度低至600°C)，确保GaN外延层完整性。对比Pt-GLTF GaN LED器件与纯Pt LED器件发现，前者在表面方阻、功耗及温度分布等关键指标均更优(光学透过率除外)，证实所开发的GLTF基透明电极具有优异的电流扩展、注入及散热功能。最重要的是，该技术无需材料转移，为GaN基光电器件透明电极提供了可扩展、可控、可重复且与半导体工艺兼容的解决方案。
关键词： 透明电极、无转移工艺、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、发光二极管（LEDs）、散热、氮化镓、石墨烯
更新于2025-09-12 10:27:22
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标准CMOS工艺中高光功率密度正向偏置硅LED的电致发光光谱分析
摘要： 采用标准互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺制备了具有高功率密度p?-n结和楔形电极的硅发光二极管（Si-LED），并测量了其在不同正向电流下的电致发光（EL）光谱。通过研究EL光谱，发现了两个有趣的现象：一是随着正向电流增大，EL光谱主峰从长波长（1135 nm）向短波长（1078 nm）移动；二是观测到两个能量高于带隙（Eg）的发光峰。本研究首次对这两个现象给出了合理解释：峰值移动是由于正向电流增大时，无需声子辅助的束缚激子电子-空穴对复合速率，快于需要声子辅助的束缚或自由激子复合速率；而两个高能发光峰的存在则是由于强电场作用下，热空穴从晶格吸收一个或两个声子后与导带电子复合所致。
关键词： 楔形针尖电极，CMOS标准技术，电致发光（EL）光谱，硅基发光器件（Si-LEDs），强电场
更新于2025-09-12 10:27:22
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2016年欧洲显微镜学大会：会议录 || 基于有序InGaN纳米柱发光二极管的分析电子显微镜表征
摘要： 由InGaN/GaN盘状结构自组装形成的纳米柱（NCs）为传统平面发光二极管（LED）器件提供了替代方案[1]。然而，单个纳米LED间电学特性的显著离散性制约了其效率与可靠性。由于InGaN合金固有的成分波动倾向会随生长晶面极性变化而产生不均匀分布，导致其呈现多色发光现象[2]。近期分子束外延技术实现的纳米柱选择性区域生长，已能制备出具有更高结晶质量且铟分布可控性更强的高度均匀GaN/InGaN纳米柱[3]。本研究展示了基于有序InGaN活性盘状结构纳米柱LED的表征结果（图1）。通过校正像差的JEOL-JEM-ARM200扫描透射电子显微镜（STEM）进行纳米结构精细表征：原子级分辨的高角环形暗场（HAADF）图像分析证实了纳米柱的高结晶质量；能谱（EDS）元素面扫描揭示了InGaN盘内铟分布；环形明?。ˋBF）图像中氮原子柱定位则追踪了半导体纳米柱的极性（图2）。利用FEI STEM Tecnai F20低温阴极荧光（CL）光谱技术，实现了纳米尺度上光学特性与结构特性的直接关联[4]。
关键词： 纳米线、能量色散X射线光谱（EDS）、环形明场成像、氮化铟镓（InGaN）、发光二极管（LEDs）、原子级分辨率扫描透射电子显微镜（STEM）
更新于2025-09-12 10:27:22
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利用液态基质中量子点实现超高效绿色发光二极管
摘要： 绿色光谱范围作为人眼敏感度最高的区域，是照明与显示领域最基础的颜色之一。量子点（QDs）凭借高量子产率（QY）、强吸收特性及窄发射线宽等卓越光学性能，成为高效绿光发光二极管的关键材料。本文展示的量子点发光二极管（QD-LEDs）在绿光波段实现了95流明/瓦的电致发光效率、409流明/光学瓦的光辐射功效以及23.3%的外量子效率（EQE）。我们通过合成辛硫醇包覆的CdSe/ZnS量子点（绝对量子产率达91%），并将其整合于能保持器件结构中量子点效率的液态基质中达成此性能。模拟结果与制备的QD-LEDs实际表现相符，且显示该器件发光效率有望进一步提升至250流明/瓦以上。
关键词： 发光二极管（LEDs）、发光效率（LE）、液态集成、量子点（QDs）、外量子效率（EQE）
更新于2025-09-12 10:27:22
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10.2: <i>特邀论文：</i> 量子点作为OLED中新一代发光材料
摘要： 基于量子点（QDs）独特特性（如带隙随尺寸可调、发射光谱窄以及低成本溶液加工等），胶体量子点发光二极管（QD-LEDs）因其在显示和照明产业中的潜在影响而受到积极研究。然而，过去大多数有前景的成果都使用了含镉（Cd）的II-VI族半导体纳米晶体。因此，未来一项重要任务是用毒性较低的材料替代含镉量子点。磷化铟（InP）基量子点是III-V族半导体纳米晶体中有前景的材料之一，目前已应用于常规和倒置QD-LED结构中。
关键词： QD-LEDs，常规QD-LEDs，量子点，InP/ZnSe/ZnS，InP，倒置QD-LEDs
更新于2025-09-11 14:15:04
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Ce3+/Dy3+掺杂氟磷酸盐玻璃的发光与能量传递研究
摘要： 通过传统熔融淬火法制备了掺杂单一及共掺杂（Ce和/或Dy）的氟磷酸盐（PKABfNf：P2O5+K2O+Al2O3+BaF2+NaF2）玻璃，并对其发光性能进行了表征。共掺杂玻璃（PKABfNfCeDy）的发射光谱显示出Ce3+离子的宽蓝光带与Dy3+离子的尖锐峰相结合。从1.0 mol% Dy3+（PKABfNfDy1.0）玻璃的光学吸收光谱中获得了Judd-Ofelt（JO）强度参数。利用Futchbauer-Ladenbergh公式，通过JO理论计算了PKABfNfDy1.0玻璃的辐射特性。（Ce3+/Dy3+）共掺杂玻璃在紫外激发下表现出从Ce3+到Dy3+的辐射能量转移（ET），且随着Dy3+离子浓度的增加，发光强度增强。分析了从Ce3+到Dy3+离子的ET机制。根据Ce3+和（Ce3+/Dy3+）共掺杂玻璃的发射光谱，计算了理论ET效率和量子产率值。结果表明，共掺杂的PKABfNfCeDy玻璃是商业白光应用的潜在候选材料。
关键词： W-LEDs（白光发光二极管）、镝、氟磷酸盐玻璃、能量传递、Judd-Ofelt分析、量子产率、铈
更新于2025-09-09 09:28:46