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电容
Capacitance(pF)
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity(A/W)
确定 取消
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S-200CL
厂家:OSI Optoelectronics
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PD1300-35T52
厂家:Ushio Inc.
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FCI-InGaAs-500
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
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C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
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C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
光电查为您提供229个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。
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S-50CL
光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 200 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/WOSI Laser Diode,Inc.的S-50CL是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为200 PF,暗电流为300 nA,响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.S-50CL的更多详细信息见下文。
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FCI-InGaAs-Q3000
光电二极管材料: InGaAs 电容: 225 pF 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-Q3000是波长范围为900至1700 nm、电容为225 PF、暗电流为2至100 nA、响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W、上升时间为24 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-Q3000的更多详细信息,请联系我们。
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PIN-HR005L
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 0.8 pF 响应度/光敏度: 0.45 to 0.50 A/WOSI Laser Diode,Inc.的PIN-HR005L是一种光电二极管,其波长范围为800 nm,电容为0.8 PF,暗电流为0.03至0.8 nA,响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W,上升时间为O.6 ns.有关引脚HR005L的更多详细信息,请联系我们。
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S-25CRL
光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 95 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W来自OSI Laser Diode,Inc.的S-25CRL是一种波长范围为970 nm、电容为95 PF、暗电流为100 nA、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。
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PIN-DSIn
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon, InGaAs RoHS: YesOSI Laser Diode,Inc.的PIN-DSIN是一款光电二极管,波长范围为400至1100 nm(Si-TOP)、1000至1800 nm(InGaAs),电容为450 PF(Si-TOP)、300 PF(InGaAs),响应度/光敏度为0.55 A/W(Si-TO-P)、0.6 A/W(InGaAs),上升时间为4μs.有关PIN-DSIN的更多详细信息,请联系我们。
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PIN-125DPL
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 160 pF 响应度/光敏度: 0.55 to 0.60 A/WOSI Laser Diode,Inc.的PIN-125DPL是一种光电二极管,波长范围为970 nm,电容为160 PF,响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W,上升时间为30 ns.有关引脚125DPL的更多详细信息,请联系我们。
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UV-035EQ
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 800 pF 响应度/光敏度: 0.12 to 0.36 A/WOSI Laser Diode,Inc.的UV-035EQ是一款光电二极管,波长范围为720 nm,电容为800 PF,响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W,上升时间为2μs,有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035EQ的更多详细信息,请联系我们。
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FCI-InGaAs-12M
光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 响应度/光敏度: 0.95 A/W来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-12M是波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。
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UV-013DQ
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 150 pF 响应度/光敏度: 0.5 to 0.12 A/WOSI Laser Diode,Inc.的UV-013DQ是一款光电二极管,波长范围为980 nm,电容为150 PF,响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W,上升时间为0.5μs,有效区域直径为3.6 mm.有关UV-013DQ的更多详细信息,请联系我们。
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S-4CL
光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 15 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W来自OSI Laser Diode,Inc.的S-4CL是一种波长范围为970 nm、电容为15 PF、暗电流为20 nA、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。
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PIN-005D-254F
光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 100 pF 响应度/光敏度: 0.025 A/WOSI Laser Diode,Inc.的PIN-005D-254F是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为100 PF,响应度/光敏度为0.025 A/W,上升时间为0.1μs.有关PIN-005D-254F的更多详细信息,请联系我们。
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PIN-13DPI
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1200 pF 响应度/光敏度: 0.55 to 0.60 A/WOSI Laser Diode,Inc.的PIN-13DPI是波长范围为970 nm、电容为1200 PF、响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W、上升时间为150 ns的光电二极管。有关PIN-13DPI的更多详细信息,请联系我们。
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PIN-HR026L
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2.6 pF 响应度/光敏度: 0.45 to 0.50 A/WOSI Laser Diode,Inc.的PIN-HR026L是一种光电二极管,波长范围为800 nm,电容为2.6 PF,暗电流为0.1至1.5 nA,响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W,上升时间0.9 ns.有关引脚HR026L的更多详细信息,请联系我们。
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OSD5-0
光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 50 pF 响应度/光敏度: 0.47 to 0.54 A/W来自OSI Laser Diode,Inc.的OSD5-0是波长范围为900 nm、电容为8至50 PF、暗电流为5至10 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为8 ns的光电二极管。有关OSD5-0的更多详细信息,请联系我们。
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FCI-125G-006HRL
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon 电容: 0.65 to 0.66 pF 响应度/光敏度: 0.36 A/W来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-125G-006HRL是波长范围为850nm、电容为0.65至0.66pF、暗电流为20至500pA、响应度/光敏度为0.36A/W、上升时间为35至38ps的光电二极管。有关FCI-125G-006HRL的更多详细信息,请联系我们。
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PIN-25DP
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60000 pF 响应度/光敏度: 0.55 to 0.60 A/WOSI Laser Diode,Inc.的PIN-25DP是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为60000 PF,响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W,上升时间为6600 ns.有关引脚25DP的更多详细信息,请联系我们。
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SPOT-4DMI
光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W来自OSI Laser Diode,Inc.的SPOT-4DMI是波长范围为970nm、电容为1pF、暗电流为0.01至0.5nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为9ns的光电二极管。有关SPOT-4DMI的更多详细信息,请联系我们。
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PIN-5DPI
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 500 pF 响应度/光敏度: 0.55 to 0.60 A/WOSI Laser Diode,Inc.的PIN-5DPI是一种光电二极管,波长范围为970 nm,电容为500 PF,响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W,上升时间为60 ns.有关PIN-5DPI的更多详细信息,请联系我们。
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FCI-InGaAs-1000
光电二极管材料: InGaAs 电容: 80 to 200 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-1000是一种波长范围为900至1700 nm、电容为80至200 PF、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W的光电二极管。
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PIN-HR008
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 0.8 pF 响应度/光敏度: 0.45 to 0.50 A/WOSI Laser Diode,Inc.的PIN-HR008是一种光电二极管,波长范围为800 nm,电容为0.8 PF,暗电流为0.03至0.8 nA,响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W,上升时间0.6 ns.有关引脚HR008的更多详细信息,请联系我们。