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正规认证
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品质保障
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CM97A1064NFBG
厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH
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CM96Z600-74 半导体激光器
厂家：Coherent Inc.
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CM96Z580-74 半导体激光器
厂家：Coherent Inc.
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DFB-1310C-PM 激光器
厂家：Optilab
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DFB-1290C-PM 激光器
厂家：Optilab
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1310nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)
厂家：Optilab
光电查为您提供1091个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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激光二极管FIDL-10S-935X
FIDL-10S-935X是935nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-935X光源为CW单模注入半导体激光二极管与内置监控光电二极管，以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。
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激光二极管FIDL-50S-960X
FIDL-50S-960X是用MOCVD半导体激光器制作的960nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-50S-960X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。
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Mitsubishi1550,1520纳米InGaAsP FP激光二极管ML9xx45系列
ML9xx45系列是InGaAsP激光二极管，可提供稳定的单横模振荡，发射波长为1550nm，标准连续光输出为5mW。ML9xx45是具有光电二极管的密封器件，用于光输出监控。这适用于FTTH（光纤到户）系统等应用。
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FBLD-808-8W-FC200-DF-14Pin光纤耦合高功率激光二极管
FBLD-808-8W-FC200-DF-14PIN光纤耦合高功率激光二极管。
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FP激光二极管760nm 10mW
FNPL-10S-760-FP是工作波长为760nm的连续半导体激光器。它采用标准TO-5.6和TO-9封装，可选监控二极管以稳定功率输出，以及集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-5和蝶形封装?？筛菀筇峁〤ustomMounts。
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FDL-860-3W-TA 用于MOPA的锥形放大器
GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。在10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近3000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。
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激光二极管FIDL-100S-980X
FIDL-100S-980X是InGaAs/GaAs单量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100S-980X是CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。激光二极管适用于各种光电系统。
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FBLD-976-180W-FC200-VBG-6Pin
激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Multi-Mode 纤维芯直径: 200um 光纤包层直径: 220um波长稳定光纤耦合激光二极管
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Seminex高功率多模激光器芯片B-Mount 1310nm 6.2W
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
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FLTT-940-2.2W-500m-CAP红外激光照明器
红外激光照明器FLTT-940-2.2W-500M-CAP是一款高性能产品，集成了高质量的VCSEL芯片和出色的光学设计。它具有高效率的出色电路控制和宽波束角变焦，可匹配大多数摄像机的视场角，如高速球机、云台和交通监控摄像机。用户界面友好，并提供工作电压控制、通信协议和安装示意图。风扇角度可通过串口进行电子调节。输出光束非常均匀且无散斑。
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FBLD-830-2W-FC50-0.14-2Pin
激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Multi-Mode 纤维芯直径: 50um 光纤包层直径: 125um光纤耦合大功率激光二极管
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FBLD-976-70W-FC105-6Pin
激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Multi-Mode 纤维芯直径: 105um 光纤包层直径: 125um光纤耦合大功率激光二极管
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FDL-890-2W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器
GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。
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FDL-780-1W-TA 用于MOPA的锥形放大器
GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。
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激光二极管 faxD-975-10W-400-HHLW
FAXD-975-10W-400-HHLW是一种多模半导体连续输出功率为10W的975nm激光二极管。发射器尺寸为400μm。它被封装在带窗口的高热负荷封装中，适用于各种光电应用。
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激光二极管FIDL-500M-860X
FIDL-500M-860X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-500M-860X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。