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半导体激光器

已选
  • 美国
  • SemiNex Corporation
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光电查为您提供174个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • B-130 半导体激光器

    B-130

    美国
    激光增益介质: InP

    B-130是Seminex公司生产的波长为1380nm，输出功率为6.2W，工作电压为1.8V，工作电流为13A，阈值电流为500mA的半导体激光器。B-130的更多细节可以在下面看到。

  • CHP-122 半导体激光器

    CHP-122

    美国
    激光增益介质: InP

    CHP-122是Seminex公司生产的波长为1555nm的激光二极管，输出功率为0.06W，工作电压为3.6V，工作电流为1.8A，阈值电流为50000mA.有关CHP-122的更多详细信息，请联系我们。

  • C-133 半导体激光器

    C-133

    美国
    激光增益介质: InP

    C-133是美国Seminex公司生产的波长为1595 nm的半导体激光器，输出功率为3 W，工作电压为2 V，工作电流为9.5 A，阈值电流为450 mA.C-133的更多细节可以在下面看到。

  • 4PN-117 半导体激光器

    4PN-117

    美国
    激光增益介质: InP

    4PN-117是Seminex公司生产的波长为1375nm，输出功率为4.7W，工作电压为1.6V，工作电流为12A，阈值电流为600mA的半导体激光器。有关4PN-117的更多详细信息，请联系我们。

  • BAR-130 半导体激光器

    BAR-130

    美国
    激光增益介质: InP

    BAR-130是Seminex公司生产的波长为1615nm，输出功率为13W，工作电压为1.3V，工作电流为65A，阈值电流为10000mA的半导体激光器。下面可以看到BAR-130的更多详细信息。

  • SemiNex 15-Pin光纤耦合激光器 半导体激光器

    SemiNex 15-Pin光纤耦合激光器

    美国

    15针光纤耦合封装的SEMINEX高功率多模激光二极管高达6瓦的CW功率1470和1550nm波长提供标准定制波长

  • SemiNex 4-Pin激光?？?半导体激光器

    SemiNex 4-Pin激光?？?/a>

    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Multi-Mode 纤维芯直径: 105um 光纤包层直径: 125um

    采用光纤耦合封装的Seminex多模高功率激光器单根光纤的连续波功率为3.8瓦标准波长：1270、1320、1375、1460、1480、1550和1565nmSMA 905连接器光电二极管或热敏电阻

  • SemiNex C-Mounted激光二极管 半导体激光器

    SemiNex C-Mounted激光二极管

    美国

    高功率多模式Seminex激光器，采用标准C型支架。高达6.2瓦CW功率标准波长1310、1380、1450、1470、1532和1550nm透镜选项请联系Seminex，了解定制波长选项

  • 半成品激光芯片 半导体激光器

    半成品激光芯片

    美国

    Seminex高功率激光二极管提供高达6.2瓦的CW功率。提供1310、1470、1532、1550和1650nm的多模和单模标准波长?；固峁┢渌ㄖ撇ǔ?/p>

  • 半纳克斯多芯片?？?半导体激光器

    半纳克斯多芯片?？?/a>

    Seminex多模式红外激光二极管组合成单个?？椤?0、15、20、25和50瓦版本集束或单芯光纤1470、1532、1550的标准波长

  • SemiNex TO-9封装激光器 半导体激光器

    SemiNex TO-9封装激光器

    美国

    采用TO-9封装的Seminex高功率激光器。多模和单模高达2.5瓦CW功率标准波长：1310、1450、1550、1635、1670nm

  • 15P-109 半导体激光器

    15P-109

    美国
    激光增益介质: InP

    15P-109是Seminex公司生产的波长为1480nm，输出功率为5.9W，工作电压为2V，工作电流为20A，阈值电流为700mA的半导体激光器。有关15P-109的更多详细信息，请联系我们。

  • 15P-110 半导体激光器

    15P-110

    美国
    激光增益介质: InP

    15P-110是Seminex公司生产的波长为1570nm，输出功率为4.9W，工作电压为1.7V，工作电流为15A，阈值电流为700mA的激光二极管。有关15P-110的更多详细信息，请联系我们。

  • 4PN-101 半导体激光器

    4PN-101

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex的4PN-101是一款4针光纤耦合激光?？?，工作波长为1450 nm，可提供4 W的CW输出功率。多模激光器具有10nm的光谱宽度。该激光器需要1.6 V电源，阈值电流为0.5 A.它采用高功率Seminex激光二极管芯片，与光电二极管或热敏电阻一起安装在方便的低成本封装中。该封装采用105/125.22NA光纤和SMA 905连接器。该激光模块适用于OEM医疗、DPSS泵浦源、激光雷达、自由空间通信和军事/航空航天应用。

  • 4PN-104 半导体激光器

    4PN-104

    美国
    激光增益介质: InP

    4PN-104是Seminex公司生产的波长为1470nm，输出功率为3.8W，工作电压为1.6V，工作电流为12A，阈值电流为600mA的半导体激光器。有关4PN-104的更多详细信息，请联系我们。

  • 4PN-106 半导体激光器

    4PN-106

    美国
    激光增益介质: InP

    4PN-106是Seminex公司生产的波长为1470nm的半导体激光器，输出功率为3.4W，工作电压为1.6V，工作电流为12A，阈值电流为600mA.有关4PN-106的更多详细信息，请联系我们。

  • 4PN-108 半导体激光器

    4PN-108

    美国
    激光增益介质: InP

    4PN-108是Seminex公司生产的波长为1550nm，输出功率为3.3W，工作电压为1.7V，工作电流为12A，阈值电流为600mA的半导体激光器。有关4PN-108的更多详细信息，请联系我们。

  • 4PN-109 半导体激光器

    4PN-109

    美国
    激光增益介质: InP

    4PN-109是Seminex公司生产的波长为1560nm，输出功率为3.3W，工作电压为1.7V，工作电流为12A，阈值电流为600mA的半导体激光器。有关4PN-109的更多详细信息，请联系我们。

  • 4PN-116 半导体激光器

    4PN-116

    美国
    激光增益介质: InP

    4PN-116是Seminex公司生产的波长为1320nm，输出功率为4.7W，工作电压为1.7V，工作电流为13A，阈值电流为600mA的半导体激光器。有关4PN-116的更多详细信息，请联系我们。

  • B-104-108 半导体激光器

    B-104-108

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的B-104-108是波长为1450nm，输出功率为4.8W，工作电压为1.7V，工作电流为14A，阈值电流为500mA的激光二极管。有关B-104-108的更多详细信息，请联系我们。