研究目的
为激光转移工艺开发一种新型牺牲层,用于将金属基底临时键合到玻璃基底上,以实现柔性显示器的生产。
研究成果
该研究成功将GaN和α-GaOx作为超晶格层应用于金属箔的激光剥离工艺。Al2O3阻挡层的使用阻止了铁元素向超晶格层的扩散,从而实现了有效的激光剥离工艺并成功剥离了柔性衬底。
研究不足
该研究强调需要采用低导热率的SL材料,以防止激光扫描过程中对柔性基底造成损伤。热处理过程中的元素扩散可能导致污染和剥离性能不佳。
研究目的
为激光转移工艺开发一种新型牺牲层,用于将金属基底临时键合到玻璃基底上,以实现柔性显示器的生产。
研究成果
该研究成功将GaN和α-GaOx作为超晶格层应用于金属箔的激光剥离工艺。Al2O3阻挡层的使用阻止了铁元素向超晶格层的扩散,从而实现了有效的激光剥离工艺并成功剥离了柔性衬底。
研究不足
该研究强调需要采用低导热率的SL材料,以防止激光扫描过程中对柔性基底造成损伤。热处理过程中的元素扩散可能导致污染和剥离性能不佳。
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