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制备具有白光电致发光的n-ZnO/(i-ZnO)/p-GaN异质结发光二极管的简易方法

DOI：10.7567/1882-0786/ab50de 期刊：Applied Physics Express 出版年份：2019 更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要： 具有高效节能和长使用寿命的白光发光二极管（LED）可应用于众多领域。本研究首先通过脉冲激光沉积法在p-GaN衬底上制备高性能n-ZnO薄膜，随后制作了n-ZnO/p-GaN异质结LED。该LED呈现蓝光与黄光发射，其发光强度可通过调节制备参数（如氧压）和/或引入半绝缘i-ZnO层形成p-GaN/i-ZnO/n-ZnO异质结来实现调控。由此提出了一种简便的白光LED制备方法。
作者： Chunqing Huo，Youming Lu，Hua Zeng，Peijiang Cao，Shun Han，Wenjun Liu，Fang Jia，Yuxiang Zeng，Xinke Liu，Wangying Xu，Deliang Zhu
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

提出一种简便方法，通过制备n-ZnO/p-GaN和n-ZnO/i-ZnO/p-GaN异质结LED并研究其器件特性，来实现白光LED的制备。

研究成果

该研究通过调整制备参数并引入半绝缘i-ZnO层，成功制备出n-ZnO/p-GaN和n-ZnO/i-ZnO/p-GaN异质结LED，实现了蓝光与黄光发射强度的可调谐调控。同时提出了一种简便的白光LED制备方法，展现出广阔的应用前景。

研究不足

该研究指出，反向偏压下较高的漏电流可能由异质结的能带偏移引起，从而导致严重发热。由于缺陷作为p型掺杂补偿中心，可重复生产的高质量p型氧化锌及氧化锌同质结的制备仍存在问题。

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