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利用对向靶直流溅射法制备的p型硅/本征硅/n型纳米晶FeSi?异质结的光伏特性与串联电阻

DOI：10.1166/jnn.2019.16234 期刊：Journal of Nanoscience and Nanotechnology 出版年份：2019 更新时间：2025-11-14 17:28:48
摘要： 通过采用相对靶直流溅射法（压力为1.33×10?1 Pa）制备了p型硅/本征硅/n型纳米晶二硅化铁异质结，并研究了其光伏特性。该器件表现出较大的漏电流和较低的能量转换效率（0.62%）。运用Nicollian-Brews方法测得零偏压下的串联电阻值：2 MHz时为7.40 Ω，50 kHz时为7.57 Ω，与Norde方法估算结果一致。采用Hill-Coleman方法测得界面态密度：50 kHz时为3.15×101? cm?2 eV?1，2 MHz时为8.93×1013 cm?2 eV?1。结果表明结界面存在串联电阻和界面态密度，这可能是导致该异质结光伏性能劣化的潜在原因。
作者： Weerasaruth Kaenrai，Nathaporn Promros，Phongsaphak Sittimart，Rawiwan Chaleawpong，Peerasil Charoenyuenyao，Thanachai Changcharoen，Adison Nopparuchikun，Tomohiro Nogami，Tsuyoshi Yoshitake
机构： Department of Physics, Faculty of Science, King Mongkut’s Institute of Technology Ladkrabang，Department of Applied Science for Electronics and Materials, Kyushu University
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究利用面对面直流溅射技术制备的p型硅/本征硅/n型纳米晶FeSi2异质结的光伏特性和串联电阻。

研究成果

在结界面处存在Rs和界面态，这可能是异质结光伏性能受损的原因。

研究不足

异质结表现出较大的漏电流和较低的能量转换效率，这可能是由于结界面处的界面态作为漏电流通道和光生载流子的陷阱中心所致。

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