研究目的
通过简便的一步旋涂法集成自极化BaTiO3(BTO)薄膜，以提升ZnO薄膜紫外光电探测器(UV PDs)的性能。
研究成果
BTO-ZnO双层薄膜紫外光电探测器展现出显著提升的性能，与纯ZnO薄膜光电探测器相比具有超高开关比和超快响应速度。BTO薄膜的自发极化调控了ZnO中电子浓度的空间分布，从而实现低暗电流和快速响应时间。该方法为利用自极化铁电材料开发高性能光电探测器提供了新途径。
研究不足
该研究聚焦于利用BTO薄膜提升ZnO紫外光电探测器性能，但未深入探讨BTO-ZnO双层薄膜器件在不同环境条件下的可扩展性与长期稳定性。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用一步旋涂法制备BTO-ZnO双层薄膜紫外光电探测器。该方法因其操作简便且能有效实现BTO与ZnO的复合以提升探测器性能而被选用。
2：样品制备与数据来源：
将ZnO和BTO溶液旋涂于洁净石英基底上，样品经700°C退火2小时形成薄膜。
3：实验设备与材料清单：
设备包括旋涂仪、加热板和退火炉；材料包含Zn(CH3COO)2·2H2O、聚乙烯醇(PVA-1788)、BaTiO3溶液及石英基底。
4：2O、聚乙烯醇(PVA-1788)、BaTiO3溶液及石英基底。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：先将BTO溶液旋涂于石英基底并300°C加热10分钟，再旋涂ZnO溶液，最后700°C退火2小时。通过压铟片形成电极。
5：数据分析方法：
采用半导体特性分析系统(Keithley 4200-SCS)评估光电性能，并使用快速响应测量系统精确测定响应速度。
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semiconductor characterization system
Keithley 4200-SCS
Keithley
Evaluating the photoelectric properties of the as-prepared devices.
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spin-coater
Spin-coating the ZnO and BTO solutions on quartz substrates.
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hot plate
Heating the BTO film at 300 °C for 10 min.
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annealing furnace
Annealing the samples at 700 °C for 2 h.
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