研究目的
研究正常入射InGaAs/GaAsSb II型量子阱PIN光电二极管在2微米波长高速应用中的性能。
研究成果
所制备的InGaAs/GaAsSb II型量子阱PIN光电二极管展现出2微米波段高速工作能力,其3dB带宽达2.93 GHz,表明该器件在新一代光纤通信系统和气体传感领域具有应用潜力。
研究不足
响应速度主要受载流子渡越时间的限制,其中空穴传输是主要制约因素。若要提升速度性能,还需对器件进行进一步优化。
研究目的
研究正常入射InGaAs/GaAsSb II型量子阱PIN光电二极管在2微米波长高速应用中的性能。
研究成果
所制备的InGaAs/GaAsSb II型量子阱PIN光电二极管展现出2微米波段高速工作能力,其3dB带宽达2.93 GHz,表明该器件在新一代光纤通信系统和气体传感领域具有应用潜力。
研究不足
响应速度主要受载流子渡越时间的限制,其中空穴传输是主要制约因素。若要提升速度性能,还需对器件进行进一步优化。
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